是什么造成这一现象的呢？

trapping现象主要是由以下几个因素造成的：

1. **电荷滞留**：半导体材料内部存在杂质和缺陷，当设备在导通和截止之间快速切换时，可能会导致电子和空穴无法立即移动到新的位置，形成局部电荷积累，形成陷阱。

2. **电磁场效应**：高速开关过程中的电压和电流变化会产生瞬变电磁场，这可能会俘获并锁定某些电荷，导致器件进入非理想的工作状态。

3. **温度影响**：温度升高会增加半导体的散逸率，但在一些特定条件下，高温也可能使得电荷更容易被困在陷阱中。

4. **器件结构和工艺**：器件的设计、制造过程中的缺陷，比如表面氧化层，都可能增加trapping的可能性。

理解并处理好这些因素对于优化开关电源的性能至关重要。设计师通常会采取措施如使用负偏置注入技术、改进器件结构和工艺，以及优化驱动信号来减少trapping的影响。