MOSFET IGBT工作原理

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）都是常见的功率开关器件，用于控制电流和电压的开关操作。它们在电力电子领域中广泛应用。

MOSFET工作原理：
MOSFET是一种三端器件，包括栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。它的工作原理基于栅极电压控制漏极-源极之间的电流。当栅极与源极之间施加正向电压时，形成一个电场，使得漏极-源极之间的导电区域形成。这时，MOSFET处于导通状态，电流可以从漏极流向源极。当栅极与源极之间施加负向电压时，电场消失，导电区域消失，MOSFET处于截止状态，电流无法通过。

IGBT工作原理：
IGBT是一种双极型晶体管，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点。它由一个PNPN结构组成，包括一个控制端（Gate）、一个集电极（Collector）和一个发射极（Emitter）。IGBT的工作原理是通过控制端的电压来控制集电极-发射极之间的电流。当控制端施加正向电压时，形成一个电场，使得PNPN结构中的NPN三极管处于导通状态，电流可以从集电极流向发射极。当控制端施加负向电压时，电场消失，PNPN结构中的NPN三极管处于截止状态，电流无法通过。