HAL_FLASH_Program一次性要写四个字节怎么改写

在HAL库中，`HAL_FLASH_Program`函数通常用于逐字节操作Flash存储器。如果需要一次写入四个字节，你可以使用`FLASHrase`和`HAL_FLASH_ProgramWord`方法配合来实现。

首先，确定你要写入的地址范围，然后对这个范围内的每个4字节块进行操作：

uint8_t data[] = { /* 4字节数据 */ };
uint16_t addr = ...; // 开始地址

// 确保地址对齐，因为有些闪存需要
addr &= ~( FlashSectorSize - 1 );

while (data_len >= sizeof(uint16_t)) {
    // 擦除当前4字节的区域
    HAL_FLASH_Unlock();
    HAL_FLASH_RWSector(addr);
    HAL_FLASH erase Sector(addr);
    HAL_FLASH_Lock();

    // 写入4字节的数据
    HAL_FLASH_ProgramWord(addr, *(__IO uint16_t*)&data);

    // 更新地址，向下一个4字节块跳转
    addr += sizeof(uint16_t);
    data += sizeof(uint16_t);
    data_len -= sizeof(uint16_t);
}

// 对于剩下的不足4字节的数据，可以单独处理
if (data_len > 0) {
    HAL_FLASH_Program(addr, data, data_len);
}

这里假设`FlashSectorSize`是闪存的一个基本单位，通常是字节的整数倍。