模拟芯片的global variation通常通过

模拟芯片的global variation通常通过引入一系列的设计和制备方法进行控制和补偿。首先，设计阶段要考虑到全局变异的影响，采用合适的电路结构和布局技术以减小全局的不确定性。例如，将整个芯片分割成多个区域，每个区域内部的元件和电路功能相似，这样可以在一定程度上减小全局变异对整体性能的影响。

其次，在制造过程中，需要通过优化刻蚀、沉积和掩模等工艺参数，以减小芯片的全局变异。通过对工艺流程进行精确的控制和调整，可以最大程度地减小材料的不均匀性和工艺误差，从而减小芯片在设计和制造中的全局变异。

此外，通过使用补偿电路和技术来处理全局变异。例如，引入可编程电阻、电容和电感等元件来对芯片的电性能进行修正。同时，采用工艺角度的后处理来处理全局变异，例如在全局变异大的区域增加补偿元器件等。

最后，模拟芯片的全局变异还可以通过电路和系统级的校准技术来补偿。例如，采用自适应校准技术来实时监测和调整芯片的性能。通过在芯片上引入可编程校准电路和算法，可以根据实际工作情况对芯片进行动态校准，以消除全局变异引起的性能差异。

综上所述，模拟芯片的全局变异通常通过设计和制造阶段的优化控制、补偿电路和技术以及电路和系统级的校准技术来进行处理。这些方法可以最大限度地减小芯片的全局变异，提高模拟芯片的性能稳定性和可靠性。

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