smic18mmrf工艺基本参数

根据引用\[2\]和引用\[3\]，smic18mmrf工艺的基本参数如下：
- Length（长度）：可以根据需要进行修改，一般设置为1u，以减小沟道长度调制效应。
- Total Width（总宽度）：可以根据需要进行修改，宽度和长度的比例可以根据具体情况进行调整。
- PMOS的宽长比：一般为NMOS的2.5倍左右，因为PMOS是空穴导电，NMOS是电子导电。
- 选择器件类型：可以选择p33e2r，其中p代表PMOS，33代表3.3V电压，18代表1.8V电压，50代表5V电压，155代表15V电压。NMOS的nz代表低阈值电压。一般常用的是3.3V电压。
请注意，这些参数只是基本参数，具体的工艺参数还需要根据具体的设计需求和工艺要求进行调整。
#### 引用[.reference_title]
- *1* [Candence Virtuoso进行基本的电路设计](https://blog.csdn.net/wch0lalala/article/details/106674719)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* *3* [集成电路设计学习笔记（二）基于IC617反相器设计之原理图绘制](https://blog.csdn.net/weixin_43662543/article/details/105886528)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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