stm32f103c8t6数据存储模式

根据提供的引用[1]，STM32F103C8T6是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器，它具有64KB的Flash存储器和20KB的SRAM存储器。在STM32F103C8T6中，数据存储模式包括两种：Flash存储器和SRAM存储器。

Flash存储器是一种非易失性存储器，用于存储程序代码和常量数据。在STM32F103C8T6中，Flash存储器被分为两个区域：Main Flash Memory和System Memory。Main Flash Memory用于存储用户程序代码和数据，而System Memory用于存储Bootloader程序和EEPROM模拟器。Flash存储器的写入操作需要特殊的处理，因为它只能被擦除和编程一次。因此，在编写代码时，需要特别注意Flash存储器的使用。

SRAM存储器是一种易失性存储器，用于存储变量和堆栈数据。在STM32F103C8T6中，SRAM存储器被分为两个区域：Main SRAM和Backup SRAM。Main SRAM用于存储程序运行时的变量和堆栈数据，而Backup SRAM用于存储数据备份。SRAM存储器的读写速度比Flash存储器快，但是它是易失性存储器，当掉电或复位时，其中的数据将会丢失。

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1. 如何在STM32F103C8T6中使用Flash存储器？
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