简述电阻应变效应和半导体的压阻效应

电阻应变效应是指当一个物体受到外部应变时，其电阻值也会随之发生变化的现象。通常情况下，当物体受到压缩或拉伸应力时，它的电阻值都会发生变化，这一现象被称为电阻应变效应。

半导体的压阻效应是指，当半导体晶体受到外部压力时，其电阻值也会发生变化的现象。这是由于半导体的电学性质与压力之间存在一定的关系，当外部压力改变时，会影响半导体内部载流子的行为和分布，从而改变半导体的电阻值。压阻效应在现代电子学中广泛应用，例如，作为传感器测量压力、力等物理量。

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简述压阻式传感器与应变片式传感器的区别与联系

压阻式传感器和应变片式传感器都是测量物理量的传感器，但是它们的工作原理和应用场景略有不同。

压阻式传感器是一种将受力物体的压力转化为电阻值变化的传感器。压阻式传感器通常由薄膜材料制成，这些材料具有良好的弹性和变形特性。当物体施加压力时，薄膜材料会发生微小的弯曲变形，从而引起电阻值的变化。压阻式传感器通常用于测量静态或缓慢变化的压力，如测量重物的重量或物体的压缩变形等。

应变片式传感器是一种将受力物体的应变转化为电阻值变化的传感器。应变片通常由金属箔或导电材料制成，当物体施加力时，应变片会发生微小的形变，从而引起电阻值的变化。应变片式传感器通常用于测量动态或高速变化的力或应变，如测量机械振动、航空航天领域中的结构应变等。

因此，压阻式传感器和应变片式传感器在测量对象、测量范围和测量精度等方面存在差异，但它们都是将物理量转化为电信号的传感器。

请简述电力半导体中的电导调制效应的原理

电力半导体中的电导调制效应是指，在半导体材料中加入掺杂物，改变其导电性质的现象。这种掺杂可以通过加入杂质原子或者改变材料的应变状态来实现。掺杂后，半导体的导电性质会发生显著变化，从而可以实现对电流的控制。

具体来说，掺杂后的半导体形成了p-n结构，当半导体中存在一定的电场时，会使得p区和n区中的载流子发生漂移运动，进而影响半导体的导电性质。通过控制电场的大小和方向，可以实现对半导体中载流子的控制，从而实现对电流的调制。

电导调制效应在电力半导体器件中得到了广泛应用，例如在IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）中，通过控制栅极电压，可以实现对器件中电流的控制。