rk3326 源码修改ddr驱动强度 详细修改步骤

修改rk3326的DDR驱动强度的具体步骤如下：

1. 打开rk3326的DDR控制器寄存器

打开DDR控制器寄存器，可以使用开发板提供的工具软件，如RKTools、RKDevTool等，或者使用命令行工具adb shell访问寄存器。

2. 进入PHY寄存器，找到与强度相关的控制位

在DDR控制器的寄存器中，找到PHY寄存器，一般为PHY_REG1、PHY_REG2等，具体寄存器地址可以查阅rk3326的技术手册。在这些PHY寄存器中，会有一些与驱动强度相关的控制位，如PHY_DRV_STRENGTH等。

3. 修改控制位的值，来改变DDR驱动强度

通过修改PHY寄存器中与驱动强度相关的控制位的值，可以改变DDR驱动强度。一般来说，控制位的位宽为2-4位，每一位代表一个驱动强度等级，可以根据需求将其中的一个或多个控制位的值修改为所需的驱动强度等级。

4. 写入修改后的值到寄存器，完成DDR驱动强度的修改

在修改完控制位的值后，需要将修改后的值写入到PHY寄存器中，才能生效。写入的方式可以使用RKTools等工具软件，或者使用命令行工具adb shell访问寄存器。写入成功后，重新启动设备，DDR驱动强度即可生效。

需要注意的是，不同DDR控制器的寄存器地址、PHY寄存器、控制位等可能不同，具体修改方法需根据rk3326的技术手册进行操作。同时，修改DDR驱动强度需要对硬件有一定的了解，不当的修改可能会导致系统不稳定，甚至损坏硬件。因此，建议在进行修改之前，先备份原始的寄存器值，并在实验室等受控环境下进行。

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rk3326 源码修改ddr驱动强度

修改rk3326的ddr驱动强度需要打开rk3326的DDR控制器的寄存器，在寄存器中修改PHY寄存器的值来实现。具体步骤如下：

1. 打开rk3326的DDR控制器寄存器。

2. 进入PHY寄存器，找到与强度相关的控制位。

3. 修改控制位的值，来改变DDR驱动强度。

4. 写入修改后的值到寄存器，完成DDR驱动强度的修改。

需要注意的是，修改DDR驱动强度需要对硬件有一定的了解，不当的修改可能会导致系统不稳定，甚至损坏硬件。因此，建议在进行修改之前，先备份原始的寄存器值，并在实验室等受控环境下进行。

rk3326 修改ddr驱动强度 具体修改源码哪个地方

rk3326的DDR驱动强度是通过修改DDR控制器的PHY寄存器来实现的。在rk3326的驱动源码中，对DDR控制器的PHY寄存器的访问一般是通过底层的DDR驱动来实现的。因此，具体修改源码的位置会根据使用的DDR驱动而不同。

以rk3326的官方Linux SDK为例，其DDR驱动的源码位于`drivers/rockchip/dmc`目录下，其中包括了DDR控制器的初始化、访问等功能。在这个目录中，`dmc.c`文件是DDR控制器的主要实现文件，其中包括了对PHY寄存器的访问。如果需要修改DDR驱动强度，可以在`dmc_phy_init()`函数中找到PHY寄存器的访问代码，然后修改相关的控制位即可。

需要注意的是，修改DDR驱动强度需要对硬件有一定的了解，不当的修改可能会导致系统不稳定，甚至损坏硬件。因此，在进行修改之前，建议先备份原始的代码和寄存器值，并在实验室等受控环境下进行。同时，建议根据rk3326的技术手册进行操作，以确保修改的正确性和安全性。