Verilog SRAM 循环读写

Verilog SRAM 可以通过循环读写来实现对内存的有效管理和利用。循环读写可以通过使用计数器来实现，计数器可以根据需要递增或递减，并根据计数器的值来选择要读取或写入的地址。以下是一个简单的Verilog SRAM 循环读写的示例代码：

module sram (
  input   wire        clk,
  input   wire        en,
  input   wire [7:0]  addr,
  input   wire        we,
  input   wire [7:0]  data_in,
  output  reg  [7:0]  data_out
);

reg [7:0] mem [255:0]; // 256 x 8-bit memory

reg [7:0] counter = 0; // initialize counter to 0

always @(posedge clk) begin
  if (en) begin
    if (we) begin
      mem[addr] <= data_in;
    end else begin
      data_out <= mem[counter];
      counter <= counter + 1; // increment counter
      if (counter == 255) begin // reset counter at end of memory
        counter <= 0;
      end
    end
  end
end

endmodule

在这个示例中，SRAM 模块具有一个 256 x 8-bit 的内存，有一个计数器用于循环读取内存中的数据。当 en 为高电平时，如果 we 为高电平，则将数据写入到 addr 所指示的内存地址中。否则，从内存中读取数据，并将其存储在 data_out 中，同时计数器的值递增。当计数器的值等于 255 时，它将被重置为 0，以实现循环读取的功能。

需要注意的是，这只是一个简单的示例，实际上，SRAM 的循环读写需要根据具体的应用场景进行调整和优化。