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vivado中双端口bram读写时序

时间: 2024-04-30 07:19:10 浏览: 306

在 Vivado 中，双端口 BRAM（Block RAM）的读写时序需要根据具体的设计进行调整。下面是一些常见的双端口 BRAM 读写时序示例： 1. 简单的同步读写时序在这种情况下，读操作和写操作都是同步的，并且使用相同的地址和时钟信号。时序如下： ``` ________ CLK __| |__ ________ ADDR __| |__ ________ WE ______| |____ __________________ DIN __| |__ ________ DOUT __| |__ ``` 2. 简单的异步读写时序在这种情况下，读操作和写操作都是异步的，并且使用相同的地址信号。时序如下： ``` __________________ ADDR __| |__ ________ WE ______| |____ __________________ DIN __| |__ ________ OE __| |__ ________ DOUT __| |__ ``` 3. 带有读写使能信号的同步时序在这种情况下，读操作和写操作都是同步的，并且使用不同的读写使能信号。时序如下： ``` ________ CLK __| |__ ________ ADDR __| |__ ________ WE ______| |____ ________ WEN __| |__ ________ DIN __| |__ ________ OE __| |__ ________ REN __| |__ ________ DOUT __| |__ ``` 4. 带有读写使能信号的异步时序在这种情况下，读操作和写操作都是异步的，并且使用不同的读写使能信号。时序如下： ``` __________________ ADDR __| |__ ________ WE ______| |____ ________ WEN __| |__ ________ DIN __| |__ ________ OE __| |__ ________ REN __| |__ ________ DOUT __| |__ ``` 根据具体的设计要求，可以调整双端口 BRAM 的读写时序。需要注意的是，在设计时需要遵循 FPGA 的时序限制，以确保信号能够稳定传输。

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