gd32e103 flash读写

gd32e103是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器，具有内置的Flash存储器。Flash存储器可用于存储程序代码、配置数据和其他需要在微控制器上持久保存的信息。

要进行Flash读写操作，首先需要了解gd32e103的Flash存储器架构。gd32e103的Flash存储器被划分为多个扇区，每个扇区都有其特定的地址范围。我们可以通过对应的地址来读取和写入Flash存储器的数据。

在进行Flash读操作时，我们可以通过指定要读取的地址来读取对应地址处存储的数据。读取的数据可以用于执行相应操作或进行数据处理。

在进行Flash写操作时，我们需要小心操作，因为Flash存储器的写操作可能会擦除整个扇区的数据。因此，在写入新数据之前，我们需要首先将需要保留的数据保存起来，然后再执行写操作。

一般情况下，Flash写操作包括以下步骤：
1. 将待写入数据保存在一个临时缓冲区或寄存器中。
2. 禁用中断，以确保在写操作期间不会发生中断。
3. 擦除待写入数据所在的扇区，这将清除该扇区中的所有数据。
4. 将保存在临时缓冲区或寄存器中的数据写入Flash存储器。
5. 启用中断，以恢复中断处理。
6. 验证写入操作是否成功，并进行相应的错误处理。

需要注意的是，对Flash存储器的连续写入操作可能会降低Flash的寿命。因此，在进行频繁的写操作时，应该合理规划和控制写入操作的频率和数据量。

总结来说，gd32e103的Flash读写是通过读取和写入对应地址处的数据来实现的。在进行Flash写操作时，需要先擦除扇区，然后再将数据写入。然而，需要谨慎操作，以避免对Flash存储器造成损坏。