CMP抛光原理更加学术化

CMP（Chemical Mechanical Polishing）抛光是一种结合化学反应和机械磨削的表面处理技术。其原理是将化学反应剂和磨料混合涂覆在待处理表面，通过摩擦和压力的作用，使化学反应剂与待处理表面发生反应，同时磨料磨削表面，将其表面不平整处去，从而达到平整、光滑的效果。

具体来说，CMP抛光是通过磨料在高速旋转的研磨盘上与待处理表面摩擦，使表面微观颗粒得到去除，同时化学反应剂和表面发生反应，实现表面化学处理的过程。该过程中，磨料的尺寸、形状、硬度等特性都会影响抛光效果，而化学反应剂的成分和浓度则会影响表面的化学反应过程。

总之，CMP抛光原理是一种复杂的物理化学过程，需要对磨料、化学反应剂等多种因素进行精细调控，才能达到理想的抛光效果。