已知一个偏置在强反型区的n MOSFET,已知反型层电荷,写出沿沟道方向的扩散电流和漂移电流的表达式,并说明在强反型区哪种电流起主要作用
时间: 2024-04-02 07:33:39 浏览: 20
在强反型区的n MOSFET中,沿着沟道方向的扩散电流和漂移电流的表达式可以分别表示为:
扩散电流:$I_{D, diff} = qnA\mu_n\frac{dV}{dx}$
漂移电流:$I_{D, drift} = qnA\mu_nE_{ds}$
其中,$q$表示电子电荷,$n$表示电子浓度,$A$表示沟道横截面积,$\mu_n$表示电子迁移率,$V$表示沟道电势,$x$表示沟道方向的距离,$E_{ds}$表示沿着沟道方向的电场强度。
在强反型区,电子浓度很高,因此扩散电流会很大,漂移电流相对较小。因此,在强反型区,扩散电流起主要作用。
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