某半导体存储器容量为8M×16，选用1M×4位的SRAM芯片构成，计算所需芯片数，写出每组芯片的地址范围

该半导体存储器容量为8M×16，选用1M×4位的SRAM芯片构成，所以需要的芯片数为：

8M × 16位 / (1M × 4位) = 32

即需要32个1M×4位的SRAM芯片。

每组芯片的地址范围为：

第一组：0x00000000 ~ 0x0001FFFF
第二组：0x00020000 ~ 0x0003FFFF
第三组：0x00040000 ~ 0x0005FFFF
......
第三十二组：0x007E0000 ~ 0x007FFFFF

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某半导体存储器容量为8M×16，选用1M×4位的SRAM芯片构成，计算所需芯片数，写出每组芯片的地址范围，设计画出存储器逻辑图

根据题目信息，存储器容量为8M×16，选用1M×4位的SRAM芯片构成，计算所需芯片数的步骤如下：

1. 计算一个1M×4位的SRAM芯片的存储容量：
一个1M×4位的SRAM芯片共有2^20个存储单元，每个存储单元可以存储4位数据，因此一个芯片的存储容量为2^20 × 4位 = 4M位。

2. 计算所需芯片数：
存储器容量为8M×16位，需要16个1M×4位的SRAM芯片才能构成。因此所需芯片数为16个。

3. 写出每组芯片的地址范围：
每个1M×4位的SRAM芯片可以寻址2^20个存储单元，每个存储单元可以存储4位数据。因此每个芯片的地址范围为0~2^20-1，共计2^20个地址。

由此可知，第1组芯片的地址范围为0~2^20-1，第2组芯片的地址范围为2^20~2^21-1，第3组芯片的地址范围为2^21~2^22-1，...，第16组芯片的地址范围为15×2^20~16×2^20-1。

4. 设计画出存储器逻辑图：
根据题目要求，需要构造一个8M×16位的存储器，可以使用16个1M×4位的SRAM芯片来实现。具体实现方式可以参考如下逻辑图：

        +------+ 
A0 ----|      |
A1 ----|      |
...     |      |     +-----+ 
A19---->|      |---> |     |
        |      |     |     |
D0 ---->|      |<--- |     |
D1 ---->|      |     | SRAM|
...     |      |     |     |
D3 ---->|      |     |     |
CE ---->|      |     +-----+
OE ---->|      |
WE ---->|      |
        +------+

其中，A0~A19为地址线，D0~D3为数据线，CE、OE、WE分别为片选、输出使能和写使能信号。对于16个SRAM芯片，它们的地址线和CE信号相同，而OE和WE信号需要通过译码电路产生。具体实现方式可以根据芯片规格书中给出的时序图进行设计。

半导体存储器容量为8M×16，选用1M×4位的SRAM芯片构成，计算所需芯片数，写出每组芯片的地址范围，设计画出存储器逻辑图

根据题意，存储器容量为8M×16，选用1M×4位的SRAM芯片构成。我们需要先计算所需芯片数。

1M可以表示为2^20，而1个SRAM芯片可以存储4位，即2^2。因此，每个芯片可以存储2^18个字，即256K字。

因此，所需的芯片数为 8M * 16 / 1M * 4 = 32。

每组芯片的地址范围为 256K * 4 = 1M。因此，第i组芯片的地址范围为 (i-1)M + 1 ~ iM。

下面是存储器的逻辑图设计：


其中，A0~A19表示地址线，D0~D15表示数据线。OE和WE分别表示输出使能和写使能，CS为片选信号。每个SRAM芯片的地址线连接到A0~A17，数据线连接到D0~D3。每个SRAM芯片的OE、WE和CS信号由控制逻辑产生。控制逻辑还会根据地址线的高低位控制哪一组芯片被选中。