silvaco仿MOS雪崩击穿
时间: 2024-07-29 21:00:50 浏览: 171
在Silvaco TCAD软件中,MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 雪崩击穿是一种模拟技术,用于研究金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在高电压或高温等极端条件下发生的电流突然增加的现象。当栅极电压超过一定阈值时,电子或空穴在电场作用下加速并堆积在耗尽区边界附近。当这些少数载流子的数量达到一定程度时,它们可以相互碰撞,形成自激发的过程,即雪崩效应。这个过程中,大量的电子-空穴对会被释放到沟道中,导致电流急剧增大。
Silvaco的仿真模型会考虑各种物理效应,如欧姆定律、漂移扩散以及表面和界面过程,来精确计算击穿电压和电流特性。用户可以通过设置不同的偏置条件和材料参数,观察器件在不同情况下的行为,并优化设计以避免这种失效模式。
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