stm32f103c8t6 flash写入标准库函数

STM32F103C8T6是一款基于 Cortex-M3内核的微控制器，它具有64KB的Flash存储器。在使用标准库函数进行Flash写入时，可以通过以下步骤进行操作：

1. 首先，需要包含相应的头文件。在使用标准库函数进行Flash操作时，需要包含"stm32f10x_flash.h"头文件。

2. 初始化Flash模块。可以使用函数`FLASH_Unlock()`解锁Flash，并调用`FLASH_ClearFlag()`清除相关标志位。

3. 设置Flash编程模式。可以使用函数`FLASH_SetProgrammingBank()`设置编程模式为Bank1。

4. 擦除Flash扇区。可以使用函数`FLASH_ErasePage()`擦除指定的Flash扇区。需要注意的是，Flash扇区的大小为2KB。

5. 编写数据到Flash。可以使用函数`FLASH_ProgramWord()`将数据写入到指定地址的Flash中。需要注意的是，数据必须是32位的字（Word）。

6. 最后，需要对Flash进行锁定，以保护已经写入的数据。可以使用函数`FLASH_Lock()`锁定Flash。

需要注意的是，Flash写入操作可能会擦除原有的数据，因此在进行Flash写入之前，请确保备份重要的数据。

相关问题

stm32f103c8t6flash掉电存储

STM32F103C8T6是一款常用的32位微控制器，基于ARM Cortex-M3内核。它具有多种存储资源，包括闪存（Flash）用于存储程序代码和只读数据。Flash存储在断电后仍然能够保持数据不变，这对于需要持久化存储数据的应用非常重要。

### STM32F103C8T6 Flash掉电存储的原理

1. **闪存（Flash）特性**：
- 闪存是一种非易失性存储器，意味着即使断电，数据仍然可以保持。
- 闪存可以多次擦写，但有擦写次数限制，通常为数千到数万次。

2. **数据存储方式**：
- 用户可以将需要持久化存储的数据写入闪存的特定区域。
- 数据写入闪存需要使用特定的库函数或直接操作寄存器。

3. **数据写入过程**：
- **擦除**：在写入新数据之前，需要先擦除闪存中的旧数据。擦除操作会将闪存中的数据全部置为1。
- **编程**：将新的数据写入闪存。编程操作会将数据位从1改为0。

### 示例代码

以下是一个简单的示例，展示如何在STM32F103C8T6上使用HAL库进行Flash数据写入和读取：

#include "stm32f1xx_hal.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   ADDR_FLASH_SECTOR_3   /* Start @ of user Flash area */
#define FLASH_USER_END_ADDR     (ADDR_FLASH_SECTOR_3 + FLASH_SECTOR_SIZE - 1) /* End @ of user Flash area */

uint32_t GetSector(uint32_t Address);

HAL_StatusTypeDef Flash_Write_Data(uint32_t address, uint32_t *data, uint16_t size) {
    HAL_StatusTypeDef status;
    uint32_t sectorError;
    FLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct;

    eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
    eraseInitStruct.Sector = GetSector(address);
    eraseInitStruct.NbSectors = 1;
    eraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;

    HAL_FLASH_Unlock();

    status = HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct, &sectorError);
    if (status != HAL_OK) {
        return status;
    }

    for (int i = 0; i < size; i++) {
        status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address + i * 4, data[i]);
        if (status != HAL_OK) {
            return status;
        }
    }

    HAL_FLASH_Lock();

    return HAL_OK;
}

HAL_StatusTypeDef Flash_Read_Data(uint32_t address, uint32_t *data, uint16_t size) {
    for (int i = 0; i < size; i++) {
        data[i] = *(__IO uint32_t*)(address + i * 4);
    }
    return HAL_OK;
}

uint32_t GetSector(uint32_t Address) {
    if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) || (Address > ADDR_FLASH_SECTOR_11))
        return FLASH_SECTOR_TOTAL;
    return (Address - ADDR_FLASH_SECTOR_0) / FLASH_SECTOR_SIZE;
}

### 使用说明

1. **初始化HAL库**：确保在主函数中初始化HAL库。
2. **写入数据**：调用`Flash_Write_Data`函数，传入起始地址、数据指针和数据大小。
3. **读取数据**：调用`Flash_Read_Data`函数，传入起始地址、数据指针和数据大小。

### 注意事项

- **擦除与编程**：在写入新数据之前，必须先擦除相应的闪存区域。
- **电压范围**：根据具体的电压范围选择合适的`VoltageRange`参数。
- **数据对齐**：数据写入地址必须按字（4字节）对齐。

stm32f103c8t6 flash读写操作代码

当然可以！下面是一个简单的示例代码，用于在STM32F103C8T6微控制器上进行Flash读写操作：

#include "stm32f10x.h"

// 定义Flash起始地址
#define FLASH_START_ADDR 0x08000000

// 函数声明
void Flash_Write(uint32_t addr, uint16_t data);
uint16_t Flash_Read(uint32_t addr);

int main(void)
{
    // 初始化Flash
    FLASH_Unlock();
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

    // 写入数据到Flash
    uint16_t data = 0xABCD;
    Flash_Write(FLASH_START_ADDR, data);

    // 从Flash读取数据
    uint16_t readData = Flash_Read(FLASH_START_ADDR);

    while (1)
    {
        // 循环执行其他操作
    }
}

// Flash写入函数
void Flash_Write(uint32_t addr, uint16_t data)
{
    // 确保Flash页擦除
    FLASH_ErasePage(addr);

    // 开始写入数据
    FLASH_ProgramHalfWord(addr, data);
}

// Flash读取函数
uint16_t Flash_Read(uint32_t addr)
{
    return *(volatile uint16_t *)addr;
}

这段代码演示了如何使用STM32F103C8T6的库函数进行Flash读写操作。首先，我们定义了Flash的起始地址为0x08000000。然后，在主函数中，我们使用`Flash_Write`函数将数据0xABCD写入到Flash中，然后使用`Flash_Read`函数从Flash中读取数据。请注意，写入数据之前需要确保Flash页已经擦除。

希望这段代码能够帮助到你！如果你有任何其他问题，请随时提问。