CMOS光电探测器的制造

CMOS光电探测器是一种基于CMOS工艺制造的集成化光电探测器。它的制造过程包括以下几个步骤：

1. CMOS芯片制备：首先需要制备出一块CMOS芯片，这个过程涉及到晶圆清洗、光刻、离子注入、蒸镀、退火等步骤。

2. 光电器件设计：根据探测器的需求，设计出符合要求的光电器件结构，包括光电二极管、光电晶体管等。

3. 光电器件制造：利用CMOS工艺制造出光电器件结构，通常是在标准CMOS工艺的基础上加入特殊的光电器件制造工艺。

4. 封装测试：将制造好的光电器件封装成模块，进行测试和调试。

总的来说，CMOS光电探测器的制造过程比较复杂，需要多个步骤的精确控制和协同配合。