实现长波长VCSEL 的主要工艺步骤
时间: 2024-03-31 14:34:46 浏览: 21
长波长VCSEL的主要工艺步骤如下:
1. 衬底生长:选择合适的衬底材料,如GaAs或InP,通过分子束外延或金属有机化学气相沉积等方法,在衬底上生长多层半导体结构。
2. 突变层生长:在衬底上,通过加热和分子束外延等方法,生长一层厚度为几纳米的突变层,用于缓解晶格不匹配。
3. 长周期反射镜生长:在突变层上,通过周期性的生长多层互不混杂的半导体材料,形成长周期反射镜,用于反射激光光子。
4. 洞口生长:在反射镜上,通过选择合适的半导体材料,生长一层透明的介质,用于形成光腔。
5. 激活层生长:在洞口上,通过生长合适厚度的掺杂半导体材料,形成激活层,用于产生光子。
6. 上下电极制备:通过光刻、蒸镀等技术,在激活层上方和下方制备金属电极,用于提供电流和收集光信号。
7. 切割和封装:通过激光切割等技术,将衬底切割成适当大小的芯片,然后进行封装,形成长波长VCSEL器件。
以上就是长波长VCSEL的主要工艺步骤。
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