对于单总线的cpu结构 写出store(mem),r1执行以下带有间接访存

在单总线的CPU结构中，执行带有间接寻址的存储指令(store(mem), r1)需要经过以下步骤：

1. 将存储地址mem加载到通用寄存器中，假设为r2。
2. 将要存储的数据r1加载到累加器中。
3. 将累加器中的数据写入通用寄存器r2所指向的内存地址中。

因此，该指令的汇编代码为：

LOAD r2, mem ; 将存储地址mem加载到通用寄存器r2中
LOAD r1, ACC ; 将要存储的数据r1加载到累加器中
STORE r1, r2 ; 将累加器中的数据写入通用寄存器r2所指向的内存地址中

需要注意的是，这里使用的是间接访存，即存储地址是通过通用寄存器间接获取的。因此，在执行该指令之前，需要将存储地址mem加载到通用寄存器中。

相关问题

流水线访存级 (MEM.v).的代码

以下是一个示例的流水线访存级（MEM.v）的代码：

module MEM (
  input wire [31:0] alu_result,
  input wire [31:0] rs2_data,
  input wire [1:0] mem_op,
  input wire [31:0] mem_data_in,
  output wire [31:0] mem_data_out,
  output wire reg mem_write_enable
);
  reg [31:0] memory [1023:0]; // 假设有1024个内存单元
  
  always @ (posedge clk)
    if (reset)
      mem_write_enable <= 0;
    else
      mem_write_enable <= (mem_op == 2'b10); // 当为写入内存操作时，使能写入内存
  
  always @ (posedge clk)
    if (mem_op == 2'b01) // 读取内存操作
      mem_data_out <= memory[alu_result];
    else if (mem_op == 2'b10) // 写入内存操作
      memory[alu_result] <= mem_data_in;
  
endmodule

上述代码中，根据输入的内存操作码（mem_op），访存级模块会执行对应的读取或写入内存操作。模块内部使用了一个 `memory` 数组来模拟内存，假设有1024个内存单元。根据操作码，如果是读取操作，则从 `memory` 数组中读取相应位置的数据，并将结果输出到 `mem_data_out`；如果是写入操作，则将输入的数据 `mem_data_in` 写入到 `memory` 数组的相应位置。同时，根据写入内存操作的情况，设置 `mem_write_enable` 控制信号，以决定是否允许写入内存。请注意，这只是一个示例代码，实际情况可能因具体设计而有所不同。