dsp中F28335芯片，存储器扩展包括基地址和偏移地址，地址如何形成

在F28335芯片中，存储器扩展的地址形成方式如下：

1. 基地址：F28335芯片的存储器分为内部存储器和外部存储器，内部存储器的基地址为0x0000 0000，外部存储器的基地址可以通过设置GPIO寄存器来确定。

2. 偏移地址：偏移地址是根据需要访问的存储器单元的地址计算出来的。具体计算方式取决于访问的存储器类型和访问方式。例如，对于外部存储器的访问，可以通过设置GPIO寄存器来确定外部存储器的基地址和偏移地址，然后通过读写指令来访问存储器。

需要注意的是，在F28335芯片中，存储器的访问是按字节进行的，因此在计算偏移地址时需要考虑每个存储单元的字节大小。

相关问题

dsp中F28335芯片存储器扩展，物理连接程序书写

F28335芯片的存储器扩展通常需要连接外部Flash或RAM。以下是物理连接和程序书写的步骤：

1. 连接外部存储器：根据外部存储器的规格和芯片引脚定义，将存储器的地址线、数据线和控制线连接到F28335芯片的相应引脚上。

2. 初始化存储器：在程序中，需要先对外部存储器进行初始化，包括时钟、地址线和数据线等的配置。具体操作可以参考存储器厂商提供的数据手册或者参考设计。

3. 使用存储器：在程序中，可以通过读写存储器地址来进行数据的读写。需要注意的是，外部存储器的读写速度可能比内置存储器慢，因此需要进行一定的时序控制和缓冲处理。

下面是一个简单的程序示例，演示如何使用F28335芯片的外部Flash存储器：

#define Flash_Addr 0x3F8000    // 外部Flash起始地址
#define Flash_Size 0x8000      // 外部Flash大小为32KB

#pragma CODE_SECTION(ReadFlash, "ramfuncs")

void ReadFlash(void)
{
    Uint16 *Flash_ptr;          // 定义指向外部Flash的指针
    Uint16 i;

    Flash_ptr = (Uint16 *)Flash_Addr;   // 指向外部Flash起始地址

    // 读取外部Flash中的数据
    for(i = 0; i < Flash_Size; i += 2)
    {
        Uint16 data = *Flash_ptr++;
        // 处理读取到的数据
        ...
    }
}

void main(void)
{
    // 初始化外部Flash
    Init_Flash();

    // 读取外部Flash中的数据
    ReadFlash();

    // 程序其它部分
    ...
}

在上述代码中，定义了一个指向外部Flash的指针Flash_ptr，并通过Flash_Addr定义了外部Flash的起始地址。在ReadFlash函数中，通过指针Flash_ptr读取外部Flash中的数据，并进行相应的处理。在main函数中，先初始化外部Flash，然后调用ReadFlash函数读取Flash中的数据。

F28335的外扩存储器基地址和偏移地址的设计举例说明

F28335 是 TI 公司的 TMS320 系列 DSP，可以通过配置 EMIF（External Memory Interface）寄存器来设置外扩存储器的基地址和偏移地址。下面以将外扩存储器连接到 DSP 的地址 0x80000000，偏移地址为 0x4000 为例进行说明。

首先，需要使能 EMIF：

EMIF1_CONFIG = 0x00001619; // 配置 EMIF 控制器
EMIF1_CE0_CONFIG = 0x00001003; // 配置 CE0（Chip Enable 0）
EMIF1_CE1_CONFIG = 0x00001003; // 配置 CE1（Chip Enable 1）
EMIF1_CE2_CONFIG = 0x00001003; // 配置 CE2（Chip Enable 2）
EMIF1_CE3_CONFIG = 0x00001003; // 配置 CE3（Chip Enable 3）
EMIF1_SDRAM_CONFIG = 0x6185DA90; // 配置 SDRAM
EMIF1_SDRAM_REF_CTRL = 0x0101; // 配置 SDRAM 刷新控制
EMIF1_SDRAM_TRFC = 0x0072; // 配置 SDRAM 自刷新周期
EMIF1_SDRAM_TREF = 0x0394; // 配置 SDRAM 刷新间隔
EMIF1_SDRAM_TMRD = 0x0003; // 配置 SDRAM 模式寄存器延迟
EMIF1_SDRAM_TINIT = 0x0BB8; // 配置 SDRAM 上电初始化时间
EMIF1_SDRAM_BANK_ACTIVATE = 0x0003; // 配置 SDRAM 银行激活延迟
EMIF1_SDRAM_TRCD = 0x0003; // 配置 SDRAM 行到列延迟
EMIF1_SDRAM_TRP = 0x0003; // 配置 SDRAM 行预充电延迟
EMIF1_SDRAM_TRAS = 0x0008; // 配置 SDRAM 自动刷新延迟
EMIF1_SDRAM_TRC = 0x000F; // 配置 SDRAM 行循环延迟
EMIF1_SDRAM_TWR = 0x0003; // 配置 SDRAM 写保持延迟
EMIF1_SDRAM_TWTR = 0x0001; // 配置 SDRAM 写到读延迟
EMIF1_SDRAM_TRRD = 0x0001; // 配置 SDRAM 行间延迟
EMIF1_SDRAM_TREF_FREF_RATIO = 0x0007; // 配置 SDRAM 刷新和外部时钟比值
EMIF1_SDRAM_TDAL = 0x0001; // 配置 SDRAM 周期延迟
EMIF1_SDRAM_CONFIG2 = 0x0000; // 配置 SDRAM 控制器 2
EMIF1_SDRAM_CONFIG3 = 0x0000; // 配置 SDRAM 控制器 3
EMIF1_SDRAM_CONFIG4 = 0x0000; // 配置 SDRAM 控制器 4
EMIF1_SDRAM_CONFIG5 = 0x0000; // 配置 SDRAM 控制器 5
EMIF1_SDRAM_CONFIG6 = 0x0000; // 配置 SDRAM 控制器 6
EMIF1_SDRAM_CONFIG7 = 0x0000; // 配置 SDRAM 控制器 7

EMIF1_GBLCTL |= 0x00000001; // 使能 EMIF

然后，需要设置基地址和偏移地址：

EMIF1_GBLCTL |= 0x10000000; // 设置基地址为 0x80000000
EMIF1_A2 = 0x00004000; // 设置偏移地址为 0x4000

通过以上配置，外扩存储器就可以连接到 DSP 的地址 0x80004000，可以进行数据读写操作。需要注意的是，具体的配置方法和寄存器名称可能因不同的 DSP 而异，需要参考相应的 DSP 的手册进行配置。