hse废气排放设备数据采集
时间: 2024-06-04 22:07:06 浏览: 21
HSE废气排放设备数据采集主要是利用传感器、仪表等设备对废气排放设备进行实时监测,采集废气排放的温度、压力、流量、浓度等参数数据。这些数据可以通过数据采集系统进行自动化采集,也可以通过手动方式进行采集并记录。采集到的数据可以用于评估废气排放设备的性能、发现异常情况、优化排放过程等。同时,这些数据也可以用于环保部门的监管和管理。
相关问题
STM32串口显示ADC采集的数据
要实现STM32串口显示ADC采集的数据,需要按照以下步骤进行:
1. 配置ADC模块:在STM32CubeMX中将ADC模块配置好,并生成对应的代码。
2. 配置串口:在STM32CubeMX中将串口模块配置好,并生成对应的代码。
3. 编写ADC采集代码:编写ADC采集的代码,并将采集到的数据存储到变量中。
4. 编写串口发送代码:编写串口发送代码,将采集到的数据发送到串口。
下面是一份示例代码,可以参考一下:
```c
#include "stm32f1xx_hal.h"
ADC_HandleTypeDef hadc1;
UART_HandleTypeDef huart1;
void SystemClock_Config(void);
static void MX_GPIO_Init(void);
static void MX_USART1_UART_Init(void);
static void MX_ADC1_Init(void);
int main(void)
{
HAL_Init();
SystemClock_Config();
MX_GPIO_Init();
MX_USART1_UART_Init();
MX_ADC1_Init();
uint16_t adc_value = 0;
char str[20];
while (1)
{
HAL_ADC_Start(&hadc1); // 启动ADC转换
HAL_ADC_PollForConversion(&hadc1, 100); // 等待转换完成
adc_value = HAL_ADC_GetValue(&hadc1); // 读取转换结果
HAL_ADC_Stop(&hadc1); // 停止ADC转换
sprintf(str, "ADC value: %d\r\n", adc_value);
HAL_UART_Transmit(&huart1, (uint8_t*)str, strlen(str), 0xFFFF); // 发送数据到串口
HAL_Delay(1000); // 延时1秒
}
}
void SystemClock_Config(void)
{
RCC_OscInitTypeDef RCC_OscInitStruct;
RCC_ClkInitTypeDef RCC_ClkInitStruct;
__HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();
__HAL_PWR_VOLTAGESCALING_CONFIG(PWR_REGULATOR_VOLTAGE_SCALE1);
RCC_OscInitStruct.OscillatorType = RCC_OSCILLATORTYPE_HSE;
RCC_OscInitStruct.HSEState = RCC_HSE_ON;
RCC_OscInitStruct.HSEPredivValue = RCC_HSE_PREDIV_DIV1;
RCC_OscInitStruct.PLL.PLLState = RCC_PLL_ON;
RCC_OscInitStruct.PLL.PLLSource = RCC_PLLSOURCE_HSE;
RCC_OscInitStruct.PLL.PLLMUL = RCC_PLL_MUL9;
if (HAL_RCC_OscConfig(&RCC_OscInitStruct) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
RCC_ClkInitStruct.ClockType = RCC_CLOCKTYPE_HCLK|RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK
|RCC_CLOCKTYPE_PCLK1|RCC_CLOCKTYPE_PCLK2;
RCC_ClkInitStruct.SYSCLKSource = RCC_SYSCLKSOURCE_PLLCLK;
RCC_ClkInitStruct.AHBCLKDivider = RCC_SYSCLK_DIV1;
RCC_ClkInitStruct.APB1CLKDivider = RCC_HCLK_DIV2;
RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider = RCC_HCLK_DIV1;
if (HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_2) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
}
static void MX_ADC1_Init(void)
{
ADC_ChannelConfTypeDef sConfig;
__HAL_RCC_ADC1_CLK_ENABLE();
hadc1.Instance = ADC1;
hadc1.Init.ScanConvMode = DISABLE;
hadc1.Init.ContinuousConvMode = ENABLE;
hadc1.Init.DiscontinuousConvMode = DISABLE;
hadc1.Init.ExternalTrigConv = ADC_SOFTWARE_START;
hadc1.Init.DataAlign = ADC_DATAALIGN_RIGHT;
hadc1.Init.NbrOfConversion = 1;
if (HAL_ADC_Init(&hadc1) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
sConfig.Channel = ADC_CHANNEL_0;
sConfig.Rank = ADC_REGULAR_RANK_1;
sConfig.SamplingTime = ADC_SAMPLETIME_239CYCLES_5;
if (HAL_ADC_ConfigChannel(&hadc1, &sConfig) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
}
static void MX_USART1_UART_Init(void)
{
__HAL_RCC_USART1_CLK_ENABLE();
huart1.Instance = USART1;
huart1.Init.BaudRate = 115200;
huart1.Init.WordLength = UART_WORDLENGTH_8B;
huart1.Init.StopBits = UART_STOPBITS_1;
huart1.Init.Parity = UART_PARITY_NONE;
huart1.Init.Mode = UART_MODE_TX_RX;
huart1.Init.HwFlowCtl = UART_HWCONTROL_NONE;
huart1.Init.OverSampling = UART_OVERSAMPLING_16;
if (HAL_UART_Init(&huart1) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
}
static void MX_GPIO_Init(void)
{
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
__HAL_RCC_GPIOC_CLK_ENABLE();
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_13;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_OUTPUT_PP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_LOW;
HAL_GPIO_Init(GPIOC, &GPIO_InitStruct);
}
void Error_Handler(void)
{
while(1);
}
```
这份示例代码采集了ADC1的通道0,将采集到的数据发送到了USART1串口,波特率为115200。每隔1秒钟发送一次数据。需要注意的是,为了方便调试,还将PC13引脚设置为输出模式,每次发送数据时会将其翻转。
hse06 vasp
hse06是一种密度泛函理论的近似方法,用于对固体材料和分子体系进行电子结构的计算。而VASP则是Vienna Ab initio Simulation Package的缩写,是一种非常高效的电子结构计算程序,常用于固体物理和材料科学领域的研究。
在使用hse06 vasp进行计算时,首先需要准备好系统的结构文件和相关的输入参数文件。然后通过VASP程序进行自洽场计算,得到系统的基态能量和波函数。接下来,可以使用hse06方法对得到的波函数进行修正,得到更准确的电子结构和能带结构。最后,可以根据计算得到的结果,分析材料的电子性质、光学性质等,并与实验数据进行对比,从而验证计算的准确性。
hse06 vasp的使用需要一定的计算机和物理知识,以及对VASP程序的熟悉和理解。通过合理选择计算参数和进行计算结果的分析,可以得到对材料电子结构和性质的深入了解,为材料研究和设计提供重要的理论支持。同时,hse06 vasp方法也可以应用于新材料的预测和优化设计,有助于加速材料科学和工程领域的发展进步。