简述MOSFET与GTO、GTR的典型差异。

MOSFET、GTO和GTR都是功率半导体器件，但它们之间存在一些典型的差异。

1. 工作电压范围： MOSFET的工作电压范围相对较低，一般在几十伏到几百伏之间。而GTO和GTR的工作电压范围更广泛，可达几千伏。

2. 工作频率： MOSFET的工作频率较高，可达几百千赫兹。GTO和GTR的工作频率相对较低，一般在几千赫兹到几十千赫兹之间。

3. 控制方式： MOSFET的控制方式相对简单，只需要施加一个电压信号即可。而GTO和GTR的控制方式相对复杂，需要施加一个较高的触发脉冲来开启器件，并且需要一个较长的关断时间来确保器件能够完全关闭。

4. 开关速度： MOSFET的开关速度非常快，一般在纳秒级别。GTO和GTR的开关速度相对较慢，一般在微秒级别。

5. 损耗： MOSFET的导通损耗和开关损耗都比较小。GTO和GTR的导通损耗较小，但开关损耗较大。

总的来说，MOSFET适用于低电压、高频率的应用场合，而GTO和GTR适用于高电压、低频率的应用场合。