耗尽型mos管工作原理

耗尽型MOS管，也称为增强型MOS管，是一种常用的金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）。它是一种三端器件，由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）组成。

耗尽型MOS管的工作原理如下：

1. 没有外加电压时：当源极和漏极之间没有外加电压时，耗尽型MOS管处于截止状态。这时栅极和漏极之间形成一个PN结，使得漏极电流无法通过。

2. 正向偏置：当栅极与源极之间施加正向电压时，栅极与漏极之间的PN结被正向偏置，形成一个导电通道。这个通道中的电子会从源极流向漏极，形成漏极电流。这种情况下，耗尽型MOS管处于导通状态。

3. 反向偏置：当栅极与源极之间施加反向电压时，栅极与漏极之间的PN结被反向偏置，在通道中形成一个耗尽区域。这个耗尽区域中没有导电电子，因此漏极电流无法通过。这种情况下，耗尽型MOS管处于截止状态。

总结起来，耗尽型MOS管的工作原理是通过栅极电压的变化来控制源极和漏极之间的电流通路。正向偏置时，栅极电压使得PN结正向偏置，形成导电通道；反向偏置时，PN结反向偏置，形成耗尽区域，导致漏极电流无法通过。