EEPROM磨损均衡算法

EEPROM磨损均衡算法是为了解决使用内部FLASH模拟EEPROM时的一些问题而设计的。由于内部FLASH的特性，如按页擦除、按半字写入、只能从1变为0等，导致了使用内部FLASH模拟EEPROM时需要考虑擦写次数的限制和效率问题。磨损均衡算法的目的是降低内部FLASH的擦写次数，以延长其寿命，并提高读写效率。

该算法的存储结构是基于内部FLASH的特性设计的。由于内部FLASH只能按页擦除，因此存储的数据需要按页进行划分。算法会将多个参数存储在不同的页中，以实现均衡擦写。这样，在更新某个参数时，只需要擦除和写入该参数所在的页，而不需要擦除和写入整个存储区域，从而减少了擦写次数。

此外，磨损均衡算法还考虑了读写速度的问题。由于内部FLASH的读写单位不一定可以细化到单字节，而EEPROM可以单字节读写，因此算法会将需要读写的数据先缓存在RAM中，然后再进行批量的读写操作，以提高读写效率。

总之，EEPROM磨损均衡算法通过合理的存储结构和读写策略，可以最大限度地降低内部FLASH的擦写次数，延长其寿命，并提高读写效率。