DDR3 DM/TDQS和NF/TDQS借FPGA
时间: 2024-06-21 14:02:14 浏览: 12
DDR3 DM/TDQS和NF/TDQS是DDR3内存控制器中的两个重要信号,用于控制内存读写的时序。其中DM/TDQS是用于控制数据总线和数据掩码总线的时序,而NF/TDQS则用于控制地址/命令总线和控制总线的时序。这两个信号需要精确地控制才能保证内存读写的正确性和稳定性。
FPGA作为一种可编程逻辑器件,在设计高性能存储系统时经常用来实现DDR3内存控制器。在DDR3内存控制器的设计中,需要精确控制DM/TDQS和NF/TDQS信号的时序,以满足DDR3内存的时序要求。通过FPGA的可编程性,可以实现对DM/TDQS和NF/TDQS信号时序的灵活调整和优化,从而提高DDR3内存控制器的性能和稳定性。
相关问题
lpddr4协议的TDQS2DQ
TDQS2DQ是LPDDR4协议中的一种特殊信号。它是由输入引脚TDQS经过特殊处理后,用于在输入/输出总线上进行数据的传输和同步的信号。
在LPDDR4协议中,TDQS2DQ信号被用来实现双数据率(DQ)数据总线的传输和同步。TDQS信号是通过DRAM芯片的控制器提供的,它包含了数据总线的时钟和数据使能信号。当DRAM芯片处于读取模式时,DRAM控制器会将数据从芯片读出并存储在内部缓存中,然后通过TDQS信号将数据传输到DQ总线上。这样,DRAM控制器可以通过TDQS2DQ信号将数据同步到系统中。
TDQS2DQ信号的作用是在数据传输过程中提供时钟和数据使能信号,以确保数据的正确传输。它在LPDDR4协议中起到了重要的作用,可以提高数据传输的可靠性和性能。
希望以上解答对您有所帮助!如果还有其他问题,请继续提问。
lpddr4x memq DQS信息电压
根据引用中的信息,LPDDR4X内部存在一个对DQS的延迟链,真正到达DQS采样DQ的逻辑处,其仍然能够保证DQS的toggle处于DQ总线眼图的中间位置。而引用中提到,LPDDR4X的DQS和DQ之间存在一个相位差tDQS2DQ。根据这些信息,LPDDR4X的DQS信息电压应该是根据供电电压(VDD)和延迟时间(tDQS2DQ)来决定的。具体的计算方法可以参考JEDEC标准中的公式,根据温度(T)和供电电压(V)的变化来计算延迟时间的变化。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span>
#### 引用[.reference_title]
- *1* *3* [LPDDR4与LPDDR4X介绍01](https://blog.csdn.net/albert_xjf/article/details/128986177)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v92^chatsearchT0_1"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
- *2* [DDR1.LPDDR4 DQS VT drift理解](https://blog.csdn.net/Gary_0919/article/details/120916146)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v92^chatsearchT0_1"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
[ .reference_list ]