1.简述MBE与CVD各自工作原理。

MBE和CVD都是半导体材料制备中常用的技术，但它们的工作原理有所不同。

MBE（分子束外延）是一种通过在真空环境下逐层生长单层原子薄膜的技术。在MBE过程中，高能量的粒子束（通常为电子束或离子束）被用来热解分子，从而释放出单个原子或分子。这些单个原子或分子被引导到衬底表面，并以非常有序的方式沉积在上面，从而形成单层薄膜。MBE技术可以控制单层薄膜的厚度和成分，从而制备出高质量的半导体材料。

CVD（化学气相沉积）是一种通过在气相中沉积材料的技术。在CVD过程中，材料的前体化合物被加热至高温，从而分解成反应气体。这些反应气体在衬底表面上沉积，形成薄膜。CVD技术可以通过调整气体流量和反应温度来控制薄膜的厚度和成分，从而制备出广泛的半导体材料。

总的来说，MBE和CVD都可以用于制备高质量的半导体材料，但它们的工作原理和适用范围有所不同。MBE适用于制备单层薄膜和复杂结构，而CVD适用于制备厚膜和大面积薄膜。