stm32f103c8t6的晶振需要并联电阻嘛？

STM32F103C8T6微控制器通常不需要外部晶振串联电阻。它内部集成了一个高频震荡器（HSE），比如8MHz的Crystal Oscillator或者一个高频陶瓷谐振器，可以直接作为系统的时钟源。如果你选择使用外接晶体振荡器（XTAL），可能会推荐一个匹配的负载电容，而不是串联电阻，因为XTAL本身已经有一个内置的等效负载。

然而，对于一些特殊的应用场景或者低频晶体，可能确实需要考虑串并联电阻来调整频率或改善电路性能。但这通常是高级选型中的细节，并非标准配置。在大多数情况下，查阅芯片的数据手册或者参考官方示例都会明确说明是否需要额外的电阻。

相关问题

stm32f103c8t6晶振电路设计

### STM32F103C8T6 晶振电路设计方案

对于STM32F103C8T6微控制器而言，其内部集成了多种时钟源选项，其中包括外部高速晶振(HSE)和外部低速晶振(LSE)[^1]。为了实现稳定可靠的系统运行，合理设计外部晶振电路至关重要。

#### 外部高速晶振 (HSE)

通常情况下，当需要高精度定时器或者更精确的时间基准时会选择连接一个外部高速晶振到STM32F103C8T6上。该器件支持最高频率可达25 MHz 的石英晶体作为外接HSE输入信号源。具体参数如下：

- **推荐工作频率**: 4~25 MHz
- **负载电容(CL)**: 建议选取两个相同数值的瓷片电容器并联于XIN/XOUT之间,一般取值范围为12 pF ~27 pF.
- **串联电阻(RS)**: 如果选用的是有源晶振，则不需要额外添加；如果是无源晶振则可以考虑加入一个小阻值（如10Ω～1kΩ）来改善启动特性.

    VDD
     |
     |----[CL1=20pF]---|--------- Crystal Oscillator (e.g., 8MHz or 25MHz)
     |                 |
     |----[CL2=20pF]--- XOUT(Pin20)
     |
    GND

此图展示了如何将一个典型的8 MHz 或者 25 MHz 石英谐振器连接至MCU上的OSC_IN(XIN)/ OSC_OUT(XOUT)引脚，并通过适当选择匹配元件确保最佳性能表现.

#### 外部低速晶振 (LSE)

另外，在某些应用场景下可能还需要配置RTC模块使用的独立电源域内的专用实时时钟晶振——即所谓的 LSE 。这种类型的晶振主要用于提供给 RTC 功能所需的较低频度但长时间稳定的计数脉冲序列。例如文中提到的支持标准32.768 kHz的手表级晶振就非常适合于此用途[^3]。

同样的道理适用于这里所描述的设计原则也适用:

- **典型频率** : 32.768 KHz
- **负载电容(CL)** ：同样建议采用两颗相等容量的小型陶瓷贴片电容(C_L1=C_L2)，比如12.5pf。

   VBAT
    |
    |--[C_L1=12.5PF]-- 32.768KHz Crystal
    |                    |
    |--[C_L2=12.5PF]----- PC15(OSC32_OUT)
    |
   GND

上述图表说明了怎样把一颗常见的32.768千赫兹手表电池配合相应的去耦合组件接入单片机相应管脚形成完整的LSE结构.

介绍一下stm32f103c8t6晶振电路

STM32F103C8T6是一款常用的STM32系列单片机，晶振电路是其基本电路之一。晶振电路是指将晶体振荡器与微处理器相连的电路，主要用于提供时钟信号。由于STM32F103C8T6没有内置晶振，因此需要外部晶振来提供时钟信号。

通常，STM32F103C8T6使用两个电容和一个晶体振荡器来组成晶振电路。晶体振荡器通常采用20M的晶体振荡器，两个电容分别为22pF或者33pF。晶体振荡器和两个电容构成了一个串联谐振电路，其并联端与微处理器的X1和X2引脚相连。

需要注意的是，在STM32F103C8T6的晶振电路中，还需要将微处理器的NRST引脚连接到一个上拉电阻和电容组成的复位电路中，以确保系统能够正常复位。