如何在STM32F103C8T6微控制器上实现EEPROM功能，并通过编程实践来存储和读取数据？

为了在STM32F103C8T6微控制器上模拟EEPROM功能，推荐参考《STM32F103C8T6模拟EEPROM技术指南》。这份资料将帮助你理解如何利用STM32的内部Flash存储器来模拟EEPROM的行为，使得你可以在没有外部EEPROM的情况下存储和读取数据。

参考资源链接：[STM32F103C8T6模拟EEPROM技术指南](https://wenku.csdn.net/doc/2pics51268?spm=1055.2569.3001.10343)

首先，你需要配置STM32的Flash存储器以模拟EEPROM。这通常涉及Flash的页擦除和字节写入操作。在STM32F103C8T6上，你可以使用HAL库中的Flash库函数来完成这些操作。确保在编程时遵循Flash的写入周期和擦写次数限制，以避免损坏存储器。

接下来，你需要编写或使用现有的软件包来实现EEPROM的仿真。软件包通常包含用于存储管理、擦写操作以及数据读取的代码。你需要设计一个逻辑层，它负责管理数据的存储位置和更新，模拟EEPROM的特性，如随机读写、页面大小限制等。

具体步骤可能包括：
1. 初始化Flash存储器，设置起始地址用于模拟EEPROM。
2. 编写Flash擦除函数，根据Flash的页大小进行擦除。
3. 实现字节级的Flash写入函数，确保写入操作不会超出页限制。
4. 设计数据管理逻辑，使得可以随机地读写数据。
5. 添加错误检测和处理机制，确保数据的一致性和完整性。
6. 编写测试代码，验证EEPROM仿真功能是否正常工作。

为了深入理解这个过程，你可以查阅《STM32F103C8T6模拟EEPROM技术指南》中的完整软件包和示例代码。此外，当你需要更深入地学习STM32F1系列微控制器和HAL库时，建议探索更多相关的技术教程和参考资料。

参考资源链接：[STM32F103C8T6模拟EEPROM技术指南](https://wenku.csdn.net/doc/2pics51268?spm=1055.2569.3001.10343)