stm32使用flash模拟eeprom

在STM32微控制器中，由于某些型号没有内置EEPROM，但需要保存一些需要掉电不丢失的数据时，可以通过使用Flash模拟EEPROM来实现这一功能。以下是使用Flash模拟EEPROM的基本步骤和注意事项：

### 基本步骤

1. **定义存储区域**：
- 在Flash中选择一个专门的区域用于模拟EEPROM。这个区域不应该与程序代码存储区域重叠。

2. **擦除Flash**：
- 在写入新数据之前，需要先擦除Flash中的目标页。擦除操作会将Flash中的位从0变为1。

3. **写入数据**：
- 将数据写入Flash时，需要确保写入的数据不会超过Flash页的大小。

4. **读取数据**：
- 从Flash中读取数据时，直接从指定的地址读取即可。

### 注意事项

1. **擦写次数**：
- Flash的擦写次数是有限的，通常在10,000到100,000次之间。因此，在设计时需要考虑数据的更新频率，避免频繁擦写同一区域。

2. **数据完整性**：
- 在写入数据时，需要确保数据的一致性。可以通过写入校验和或使用双备份机制来提高数据的可靠性。

3. **电源管理**：
- 在写入Flash时，电源不能中断，否则会导致数据损坏。可以使用电容来提供短暂的电源保持时间，确保写入操作完成。

### 示例代码

以下是一个简单的示例代码，展示了如何在STM32中使用Flash模拟EEPROM：

#include "stm32f10x.h"

#define EEPROM_START_ADDR 0x0800FC00
#define EEPROM_PAGE_SIZE 0x400

void Flash_Erase(uint32_t address) {
    FLASH_Unlock();
    FLASH_ErasePage(address);
    FLASH_Lock();
}

void Flash_Write(uint32_t address, uint16_t data) {
    FLASH_Unlock();
    FLASH_ProgramHalfWord(address, data);
    FLASH_Lock();
}

uint16_t Flash_Read(uint32_t address) {
    return *(volatile uint16_t*)address;
}

int main(void) {
    uint16_t writeData = 0x1234;
    uint32_t writeAddress = EEPROM_START_ADDR;

    Flash_Erase(writeAddress);
    Flash_Write(writeAddress, writeData);

    uint16_t readData = Flash_Read(writeAddress);

    while (1) {
        // 主循环
    }
}

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