stm32f103c8t6读写FLASH流程图

STM32F103C8T6是一款ARM Cortex-M3内核的微控制器，它的Flash存储器是非易失性存储器，可以用于存储程序代码、数据和配置信息等。下面是STM32F103C8T6读写Flash的流程图：

读取Flash:
1. 通过RCC外设使能Flash接口时钟
2. 设置Flash接口的访问延时和读写保护状态
3. 配置NVIC中断向量表基地址为Flash起始地址
4. 通过FLASH中的函数读取Flash数据

写入Flash:
1. 解锁Flash写保护
2. 擦除需要写入数据的Flash扇区
3. 编写数据到Flash指定地址
4. 锁定Flash写保护

相关问题

stm32f103c8t6 读写flash

STM32F103C8T6是一款32位的微控制器，它内置了64KB的Flash存储器，可以用于存储程序代码和数据等信息。在STM32F103C8T6中，读写Flash的操作主要通过内置的Flash接口模块来实现。

读取Flash的操作可以通过如下步骤实现：
1. 打开Flash接口模块
2. 设置Flash读取时的等待时间
3. 通过指定的地址读取Flash中的数据
4. 关闭Flash接口模块

写入Flash的操作可以通过如下步骤实现：
1. 打开Flash接口模块
2. 设置Flash写入时的等待时间
3. 擦除需要写入的Flash扇区
4. 将数据写入到指定地址的Flash中
5. 关闭Flash接口模块

具体实现过程可以参考ST官方提供的HAL库或者标准外设库（STD库）的API函数。同时，需要注意Flash的写入操作会导致Flash数据的擦除，因此在进行写入操作前需要备份原始数据。另外，写入操作还需要在特定条件下进行，否则可能会导致写入失败或者数据丢失等问题。

stm32f103c8t6读写内部flash

STM32F103C8T6内部的Flash存储器是可以读写的，可以用STM32CubeMX生成的代码中的HAL库（HAL_FLASH_Program）来实现。具体操作方法如下：

1. 配置页面大小和存储器地址；
2. 写入数据到目标地址；
3. 对目标地址进行读取，并验证写入的数据是否正确。

不过要注意，STM32F103C8T6的Flash存储器有一定的写入次数限制，因此在设计应用程序时要认真考虑Flash的使用寿命。