STR 和LDR指令

STR (Store)指令是ARM处理器上的一种指令，用于将数据存储到内存中。它可以将一个寄存器中的数据存储到内存中的指定地址。STR指令的语法如下：

STR{cond}{B}{T} Rn,[Rm, offset]

其中，cond是条件码，B表示字节存储，T表示传输之前或之后进行处理。Rn是要存储的寄存器，Rm是内存地址的基地址，offset是偏移量，用于计算实际的存储地址。

LDR (Load)指令也是ARM处理器上的一种指令，用于从内存中加载数据。它可以将一个内存地址中的数据加载到指定的寄存器中。LDR指令的语法如下：

LDR{cond}{B}{T} Rn,[Rm, offset]

其中，cond是条件码，B表示字节加载，T表示传输之前或之后进行处理。Rn是要加载的寄存器，Rm是内存地址的基地址，offset是偏移量，用于计算实际的存储地址。

相关问题

LDR指令和STR指令

LDR指令和STR指令是ARM架构中常用的数据传输指令，用于在寄存器和内存之间进行数据传输。

LDR指令用于将一个字（32位）或半字（16位）从内存中加载到寄存器中。它的语法如下：

LDR{条件码} 目标寄存器, [内存地址或偏移量]

其中，目标寄存器是要加载数据的寄存器，内存地址或偏移量指定了要加载的数据在内存中的位置。

例如，以下代码将从内存地址0x1000处加载一个字到R0寄存器中：

LDR R0, [0x1000]

STR指令用于将一个字（32位）或半字（16位）从寄存器中存储到内存中。它的语法如下：

STR{条件码} 源寄存器, [内存地址或偏移量]

其中，源寄存器是要存储到内存中的寄存器，内存地址或偏移量指定了数据要存储到内存中的位置。

例如，以下代码将R0寄存器中的一个字存储到内存地址0x1000处：

STR R0, [0x1000]

存储器访问指令 LDR STR

在汇编语言中，LDR和STR是用于从/向内存中读写数据的指令，具体的操作如下：

LDR：将指定内存地址中的数据读取到寄存器中。

语法格式如下：

LDR{size} Rd, [Rn, #offset]

其中，size表示读取数据的位数，可以是B、H、SB、SH、W等，Rd表示目标寄存器，Rn表示内存地址所在的寄存器，offset表示偏移量，可以是立即数或另一个寄存器。例如：

LDR R0, [R1, #0] ; 将R1所指向的内存地址中的数据读取到R0寄存器中

STR：将寄存器中的数据存储到指定内存地址中。

语法格式如下：

STR{size} Rd, [Rn, #offset]

其中，size表示存储数据的位数，可以是B、H、W等，Rd表示源寄存器，Rn表示内存地址所在的寄存器，offset表示偏移量，可以是立即数或另一个寄存器。例如：

STR R0, [R1, #0] ; 将R0寄存器中的数据存储到R1所指向的内存地址中

总的来说，LDR和STR指令是汇编语言中常用的读写内存数据的指令，可以方便地对内存中的数据进行读写操作。在实际的程序开发中，需要根据具体的需求和场景选择合适的指令和参数。