试简要说明CMOS工艺中三种自对准工艺的原理和步骤。
时间: 2023-05-29 21:06:01 浏览: 514
CMOS工艺中,自对准工艺是一种常用的精密工艺,可以提高器件的可靠性和性能。常用的三种自对准工艺包括:
1. 互补自对准工艺(CSP)
原理:在晶体管形成后,通过反转型晶体管来对准另一种晶体管。
步骤:先形成p型晶体管,然后在其上形成n型反转型晶体管,使得p型晶体管的侧壁和反转型晶体管的侧壁对准,从而实现互补自对准。
2. 接触自对准工艺(CSG)
原理:晶体管的源极和漏极通过接触自动对准。
步骤:在源极和漏极的区域形成一层薄膜,然后形成沟道区域,薄膜会自动扩散到沟道区域,从而实现源极和漏极的自对准。
3. 金属自对准工艺(CMS)
原理:在晶体管形成之前,通过金属的自对准来控制晶体管的位置和尺寸。
步骤:在晶体管所在的区域先形成一层金属膜,然后在金属膜上形成光刻图形,再通过蚀刻来形成晶体管。由于金属具有较高的扩散性,这种工艺可以实现较高的自对准精度。
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