STM32F302R8T6 Flash 讀寫 範例

STM32F302R8T6是一款基于ARM Cortex-M4内核的微控制器，其Flash通常是用来存储程序代码和数据的非易失性内存。在STM32上读写Flash通常需要通过HAL库或者STM32CubeMX这样的集成开发环境提供的API来操作。

下面是一个简单的使用STM32 HAL库进行Flash读写的C语言示例：

#include "stm32f3xx_hal.h"

// 定义Flash区和地址
#define FLASH_ADDR 0x08000000 // 示例：主闪存起始地址
#define FLASH_SIZE 0x080000UL  // 示例：假设主闪存大小为1MB

void Flash_Read(void* buffer, uint32_t address, uint32_t size)
{
    HAL_FLASH_Unlock();  // 解锁Flash操作
    HAL_FLASH_Read(&hflash, (uint32_t*)buffer, address, size);  // 从Flash读取数据到指定缓冲区
    HAL_FLASH_Lock();   // 锁定Flash，防止并发访问
}

void Flash_Write(void* buffer, uint32_t address, uint32_t size)
{
    HAL_FLASH_Unlock();
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TypePROGRAM_WRITE, address, (uint32_t*)buffer, size);  // 将缓冲区的数据写入Flash
    HAL_FLASH_Lock();
}

int main(void)
{
    uint8_t data[256] = { ... }; // 要写入的数据
    void* read_buffer = malloc(FLASH_SIZE);
    
    // 写入Flash
    Flash_Write(data, FLASH_ADDR, sizeof(data));

    // 读取Flash并验证
    Flash_Read(read_buffer, FLASH_ADDR, sizeof(data));
    // 检查读出的数据是否等于写入的数据
    
    free(read_buffer);
    return 0;
}

注意这只是一个基础示例，实际应用中还需要考虑错误处理、中断安全等问题，并且在执行写操作前应确保当前处理器状态适合进行闪存操作。