stm32f103 flash最快擦写速度

STM32F103系列的Flash最快擦写速度取决于使用的Flash模块类型和擦写操作的方式。在STM32F103系列中，使用的Flash模块类型包括Main Flash Memory和Embedded Flash Memory。

对于Main Flash Memory，最快的擦写速度是20毫秒/页（2KB），擦写整个芯片需要大约2.3秒的时间。

对于Embedded Flash Memory，最快的擦写速度是40纳秒/字（2KB），擦写整个芯片需要大约13分钟的时间。

需要注意的是，实际应用中的擦写速度取决于很多因素，如Flash模块的状态、擦写方式、电源稳定性等。因此，在实际应用中，需要进行详细的测试和评估以确定实际的擦写速度。

相关问题

stm32f103 flash

STM32F103是STMicroelectronics推出的一款32位ARM Cortex-M3内核的微控制器系列。它具有丰富的外设和功能，可以广泛应用于各种嵌入式系统中。

关于STM32F103的flash存储器，它是一种非易失性存储器，用于存储程序代码和数据。以下是一些与STM32F103 flash有关的重要信息：

1. 容量：不同型号的STM32F103芯片提供不同容量的flash存储器，可以从16KB到512KB不等。

2. 特性：STM32F103的flash存储器具有快速读取和编程特性。它支持块擦除和扇区擦除，可以通过编程接口对其进行操作。

3. 程序存储：STM32F103的flash存储器用于存储程序代码，也称为固件。程序可以通过编程工具（如ST-Link或J-Link）将固件下载到芯片的flash中。

4. 数据存储：除了程序代码，flash存储器还可用于存储应用程序中需要保留的数据，例如配置信息、用户数据等。

需要注意的是，在对STM32F103的flash进行编程或擦除操作时，应当小心，因为错误的操作可能导致数据丢失或系统不稳定。在进行这些操作之前，请务必详细阅读芯片的相关文档和参考手册，以确保正确操作。

stm32f103 内部flash的读写

STM32F103C8T6是一款常用的STM32F1系列单片机，它具有内置的Flash存储器用于程序和数据的存储。读写内部Flash是STM32F103C8T6的常见操作之一。

首先，您可以参考STM32F103C8T6的选项手册来了解其内部Flash的容量。在手册中，您可以找到关于Flash的详细规格和操作方法。

要写入内部Flash，可以使用库函数FLASH_EnableWriteProtection()来启用写保护。该函数接受一个参数FLASH_Pages，指定要保护的Flash页数。通过调用该函数并传递适当的参数，可以在写入数据之前启用写保护功能。

对于实际的数据写入操作，可以使用函数STMFLASH_Write()来完成。该函数接受三个参数：写入地址WriteAddr、数据缓冲区pBuffer和要写入的数据数量NumToWrite。通过调用该函数并传递相应的参数，可以将数据写入到内部Flash中。

因此，要读写STM32F103C8T6的内部Flash，您可以参考选项手册了解Flash的容量，并使用库函数FLASH_EnableWriteProtection()启用写保护功能。然后，使用函数STMFLASH_Write()将数据写入到内部Flash中。

参考选项手册以了解STM32F103C8T6的内部Flash容量
使用FLASH_EnableWriteProtection()函数启用写保护
使用STMFLASH_Write()函数将数据写入内部Flash