FOREIGN KEY (Tid) REFERENCES TC(Tid) ON DELETE CASCADE ON UPDATE CASCADE解释

时间: 2023-12-06 11:38:52 浏览: 150

X-Ray Effects on Intersil FGA References

本文介绍了X射线辐射对Intersil公司的浮动门模拟（FGA）技术参考电压源的影响。Intersil公司的浮动门技术借鉴了标准的电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺，用于产生精确的参考电压。这种技术的核心在于存储在浮动门中的电压，这使得它能够生成具有卓越特性的高精度电压参考产品。这种电压参考产品具有非常低的温度漂移（1ppm/°C）、高初始精度和极低的工作电流（<1µA）。此外，参考电压并不局限于通过带隙参考或埋入式二极管获得的“神奇”电压，以实现温度漂移的抵消。浮动门存储单元需要两个隧道二极管来向存储电容中注入电荷，这两个二极管在没有偏置时具有非常高的阻抗和几乎零电荷泄漏的特性。实际的电压参考电路包含两个浮动门电容器和一个运算放大器。一个电容器设置共模电压，另一个设置输出参考电压。图2中显示的开关是隧道二极管，而外部电压VCM和VREF用于在工厂测试时编程单元。输出参考电压是共模电压和参考电容器之间的差值，这为输出电压提供了灵活性并添加了温度补偿。然而，浮动门电容器容易受到高剂量的各种粒子和光子的辐射破坏，因为二氧化硅中产生的电子会收集在存储单元中。来自宇宙射线或地壳中自然存在的少量放射性气体——如氡——的正常辐射，通常不会对浮动门电容器造成影响。 X射线辐射效应部分地解释了这一现象，强调了在大剂量下辐射对浮动门电容器的潜在破坏。这表明在一些应用环境中，例如太空或医疗领域，X射线辐射可能对FGA参考产生重要影响，需要在设计这些产品时考虑辐射防护措施。文中指出，当受到高剂量的辐射时，二氧化硅中产生的电子会被吸引并收集在浮动门存储单元中，从而引起辐射损伤。这种辐射损伤可能导致电压参考的漂移和性能退化。当涉及高辐射环境的电子产品设计时，例如航天器、医疗成像设备或核工业应用等，应密切注意X射线和其他形式的辐射对组件可能造成的损伤。设计人员需要进行额外的设计和测试来确保这些部件能够在辐射环境中稳定运行。此外，对于可能受到辐射影响的场合，选择适当的抗辐射部件或采取有效的屏蔽措施以保护这些敏感元件是至关重要的。这不仅包括FGA参考电压源，还涉及整个电路中的其他组件，以确保在高辐射环境下电子设备的可靠性和准确性。

这是一个外键约束，它指定了一个表（称为子表）的外键必须与另一个表（称为主表）的主键匹配。在这种情况下，外键是Tid，它参考了主表TC的Tid列。ON DELETE CASCADE和ON UPDATE CASCADE是指定了当主表中的行被删除或更新时，子表中的相应行应该如何处理。在这种情况下，CASCADE选项指定当主表中的行被删除或更新时，子表中的相应行也应该被删除或更新。

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FOREIGN KEY (Tid) REFERENCES TC(Tid) ON DELETE CASCADE ON UPDATE CASCADE解释

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foreign key references用法

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