CMOS flow

CMOS 制造工艺流程概述
CMOS（互补金属氧化物半导体）制造工艺流程是集成电路生产中的核心技术之一[^2]。该过程涉及多个复杂阶段，从晶圆准备到最终测试封装，具体如下：
晶圆制备

硅片生长：通过直拉法或其他方法获得高纯度单晶硅锭。
切片打磨：将硅锭切割成薄片，并经过抛光处理形成光滑表面。

前道工序 (Front End of Line, FEOL)

热氧化：在高温下使硅片表面生成二氧化硅层作为绝缘介质。
掺杂注入：利用离子注入机向特定区域引入杂质原子改变电学性质。
薄膜沉积：采用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方式，在基板上形成所需材料层。

中间环节

图案转移：借助光刻技术定义器件结构；随后进行蚀刻去除不需要的部分。
互连构建：创建多层导线网络连接各个组件单元。

后道工序 (Back End of Line, BEOL)

钝化保护：覆盖一层致密的氮化硅或者聚酰亚胺来防止外界环境影响内部电路性能。
划片分割：把整张wafer按照预定位置切成单独芯片(die)。
装配检测：完成塑封、打线键合等工作后进行全面电气特性检验确保产品质量合格率。

整个CMOS fabrication process flow涵盖了上述主要步骤以及更多细节操作，每一步都需要严格控制参数以保证最终产品的可靠性和一致性[^1]。
# Python伪代码展示部分关键工艺节点模拟
class CmosProcessFlow:
def __init__(self):
self.steps = ["Wafer Preparation", "Thermal Oxidation", "Ion Implantation",
"Film Deposition", "Photolithography", "Etching",
"Interconnect Formation", "Passivation", "Dicing", "Packaging"]

def run(self):
for step in self.steps:
print(f"Executing {step}...")
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