FPGA nandflash时序约束

根据引用\[1\]和引用\[3\]的内容，FPGA NAND Flash的时序约束是通过控制信号的边沿来产生控制逻辑的。在Master侧，这些控制信号是同步产生的，而在Memory内部，需要有相应的时钟将外部的异步信号同步化，然后产生对应的控制逻辑。此外，根据引用\[3\]中提到的SMC timing calculation，还需要根据NAND Flash的数据手册来设置读写的延迟时间。具体的时延参数应当设置比手册中给定的最小时延大一些，并且时延的依据是根据SMC时钟频率和CS0时延计算出来的。
#### 引用[.reference_title]
- *1* [FPGA MCU FSMC通信接口——NAND Flash模式](https://blog.csdn.net/wuyanbei24/article/details/117537899)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* *3* [ZYNQ 从NAND flash启动应用笔记](https://blog.csdn.net/uio159753/article/details/90297169)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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