请描述NAND FLASH存储器的制作过程及其在SSD中的应用，并探讨SLC与MLC技术在性能和成本上的差异。

NAND FLASH存储器的制作过程涉及多个精密的步骤，从硅片的准备开始，经过氧化、光刻、离子注入等微加工技术，最终形成存储单元阵列。这些阵列由成千上万的存储单元组成，每个单元可以独立地存储数据。在SSD应用中，NAND FLASH提供高速的数据读写能力，相比传统硬盘具有更低的能耗和更快的启动速度。

参考资源链接：[深度解析：NAND FLASH技术与发展](https://wenku.csdn.net/doc/21dd72kbpk?spm=1055.2569.3001.10343)

在性能和成本上，SLC和MLC技术有明显差异。SLC型NAND FLASH每个存储单元只存储一位数据，因此具有更快的读写速度和更高的可靠性，但成本较高。这种类型通常用于要求高性能和高可靠性的企业级SSD中。而MLC技术可以在同一存储单元内存储两位数据，增加了存储密度并降低了成本。MLC由于其更高的数据密度，通常用于消费级SSD，但其读写速度和耐用性相对较低。

随着技术的不断进步，NAND FLASH的制程技术也在不断改善，当前主流的制程已经从90纳米发展到30纳米甚至更小，这使得NAND FLASH存储器能够提供更高的存储容量和更快的读写速度。了解这些技术细节对于设计高性能存储解决方案的专业人员来说至关重要。《深度解析：NAND FLASH技术与发展》这本资源深入探讨了NAND FLASH的技术细节，对理解其在存储设备中的应用与发展方向非常有帮助。

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