n沟道mos管接什么电平导通

n沟道MOS管是一种场效应晶体管，它的工作依赖于电场对半导体中载流子流动的影响。在n沟道MOS管中，导通是由在栅极（Gate）和源极（Source）之间施加的电压控制的。为了导通n沟道MOS管，需要使得栅极电压相对于源极电压足够高，通常要高于一个阈值电压（Vth），使得在栅极下方形成一个导电的n型沟道。

具体的电平要求取决于MOS管的类型和制造工艺。对于增强型（Enhancement type）n沟道MOS管，当栅极电压高于阈值电压时，源极和漏极（Drain）之间形成导电通道，MOS管导通。对于耗尽型（Depletion type）n沟道MOS管，即使没有栅极电压，源极和漏极间就已经有一个导电通道存在，但通过增加栅极负电压，可以减少导电通道的宽度，从而减少漏极电流。

通常情况下，增强型n沟道MOS管在栅极电压高于0V和正电源电压之间的某个值时会导通。具体的阈值电压可以在MOS管的技术手册中找到，这个值会受到制造工艺和MOS管设计的影响。