MOS管导通和关断的波形变化，通过波形图片

MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应晶体管，它工作原理基于电场控制半导体的导电能力。MOS管有两种工作状态：漏极导通（ON）和漏极截止（OFF）。

当MOS管处于导通状态（也叫线性区），其栅极电压高于阈值电压（Threshold Voltage, VT），形成一个强电场，这会打开沟道，允许电流从源极（Source）流向漏极（Drain）。在这个过程中，源-漏电压VDS保持稳定，而栅-源电压VGS则基本不变。对应的波形图上，VGS通常是恒定的，而VDS会有较小的变化。

当MOS管处于截止状态，栅极电压低于阈值电压，沟道关闭，几乎无电流流过，形成一个高阻抗状态。此时，VDS将大幅度上升，VGS一般维持在较低水平。在波形图上，VDS会有一个陡峭的上升部分，表示电流的突然停止。

以下是简化的波形示意图描述：

|-----------------------------| (0 V)
|       Source                |
|---------------------------->
|                             |
|                             |
|         Gate                  |
|---------+-------+---------|
|   -VT   | Linear region | +VT
|---------+-------+---------|
|                             |
|                             |
|        Drain                 |
<-----------------------------| (VDD)

VDS波形: （低阻态时）---|--- (导通) ---|--- (高阻态) ---->
VGS波形: (恒定低电压) ---|--- (稳态) ---|--- (恒定低电压) ---->