在UMC 0.25 μm BCD工艺中,如何实现带隙基准电路的低功耗与高精度温度补偿?
时间: 2024-11-29 21:24:45 浏览: 7
针对您的问题,推荐您参考这篇《UMC 0.25 μm BCD工艺下低功耗高精度带隙基准设计》的文章,它详细讲解了如何在UMC 0.25微米BCD工艺下设计出既低功耗又高精度的带隙基准电路。文章提出了一种创新的设计思路,通过引入NMOS管在亚阈值区域的特性来进行二阶温度补偿,以确保电路在极端温度条件下的稳定性和精度。
参考资源链接:[UMC 0.25 μm BCD工艺下低功耗高精度带隙基准设计](https://wenku.csdn.net/doc/6459f9f8fcc5391368261af5?spm=1055.2569.3001.10343)
为了设计出低功耗的带隙基准电路,设计者们通常会关注静态电流的优化。在该设计中,通过精心选择电路组件和优化电流源,实现了在5V电源电压下仅3.16微安的静态电流,这显著降低了功耗。同时,对于高精度的要求,设计采用了温度补偿机制来校正基准电压的温度漂移。NMOS管在亚阈值区域的漏电流特性被用来抵消基准电压的温度依赖性,从而实现了低温度系数。
文章中的仿真结果表明,在-40℃到130℃的温度范围内,电路的温度系数仅为0.86×10^-6/℃,这证明了温度补偿机制的有效性。此外,电路还具备出色的电源抑制比(PSRR),在低频时,PSRR低于-95dB,这表明电源电压的波动对基准电压的影响极小,进一步增强了电路的稳定性。
实现这样一种带隙基准电路,需要深入理解电路的工作原理,包括NMOS管在亚阈值区域的物理特性、温度补偿技术以及电源抑制比的优化方法。阅读上述推荐文章,可以加深您对这些概念的理解,并提供实际设计中应用这些技术的指导和范例。
参考资源链接:[UMC 0.25 μm BCD工艺下低功耗高精度带隙基准设计](https://wenku.csdn.net/doc/6459f9f8fcc5391368261af5?spm=1055.2569.3001.10343)
阅读全文