若N沟道增强型MOS管的开启电压UGS()=2V,并测得电路中该管的三个电极的电位分别为:VG=5V,VS=0V,VD=4V,则该管工作在(

增强型MOS管的工作状态取决于其栅极电压与源极电压之间的关系，可以分为以下三种情况：

1. 当VG > VT时，MOS管处于放大区，此时MOS管的DS电阻很小，可以将信号放大。

2. 当VG < VT时，MOS管处于截止区，此时MOS管的DS电阻很大，可以将信号隔离。

3. 当VG = VT时，MOS管处于临界区，此时MOS管的DS电阻较大，可以将信号进行一定程度的放大和隔离。

根据题目中给出的电路参数，可以计算出该MOS管的栅极电压为VG - VS = 5V - 0V = 5V，大于开启电压UGS()，因此该MOS管处于放大区，即工作在增强型。

因为VD > VS，所以该MOS管处于正向工作状态，即漏极电压为正。

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若N沟道增强型MOS管的开启电压UGS()=2V,并测得电路中该管的三个电极的电位分别为:VG=5V,VS=0V,VD=4V,则该管工作在

放大区。

在放大区，$V_{GS}>V_{th}$，且$V_{DS}>V_{GS}-V_{th}$，其中$V_{th}$为MOS管的阈值电压。根据给定的数据，$V_{GS}=5-0=5V>2V=V_{th}$，$V_{DS}=4-0=4V>5V-2V=3V=V_{GS}-V_{th}$，因此该管工作在放大区。

在cmos电路中,同一个信号控制的p沟道mos管和n沟道mos管,其工作状态一般都

在CMOS电路中，同一个信号控制的P沟道MOS管和N沟道MOS管，其工作状态一般都是互补的。在CMOS电路中，P沟道MOS管和N沟道MOS管被广泛应用于实现数字逻辑功能。P沟道MOS管和N沟道MOS管在工作状态上是互补的，也即当P沟道MOS管处于导通状态时，N沟道MOS管处于截止状态；反之，当N沟道MOS管处于导通状态时，P沟道MOS管处于截止状态。这种互补的工作状态是CMOS电路的关键，可以实现低功耗和高集成度的优势。

CMOS电路中的P沟道MOS管和N沟道MOS管可以进行互补的控制是因为它们的结构存在着明显的差异。P沟道MOS管是由P型衬底、N型源极、N型漏极和控制门电极组成的，而N沟道MOS管则是由N型衬底、P型源极、P型漏极和控制门电极组成的。由于沟道型别的不同，当控制门电极施加正电压时，N沟道MOS管将处于导通状态，而P沟道MOS管将处于截止状态；当控制门电极施加负电压时，P沟道MOS管将处于导通状态，而N沟道MOS管将处于截止状态。通过合理配置和控制这两种沟道型别的MOS管，可以实现CMOS电路的工作状态。

总之，在CMOS电路中，同一个信号控制的P沟道MOS管和N沟道MOS管的工作状态一般都是互补的，通过它们的良好协同工作，实现了CMOS电路的高性能和高可靠性。