把stm32f103c8t6所有的内部资源地址写出来
时间: 2023-10-05 12:05:19 浏览: 58
STM32F103C8T6是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器,其内部资源包括以下部分:
1. Flash存储器:内部Flash存储器可以存储程序代码和数据,容量为64KB。
2. SRAM:内置20KB的SRAM,用于存储变量和数据。
3. 外设接口:包括多个串行接口(SPI、I2C、USART等)、定时器、ADC、DAC、PWM等。
4. NVIC:用于处理中断请求。
5. RCC:时钟控制单元,用于控制各个外设的时钟。
6. DMA:直接存储器访问控制器,用于高速数据传输。
7. GPIO:通用输入输出端口,用于连接外部设备。
8. NVIC:中断控制器,用于管理中断。
9. USB:USB接口,用于连接计算机或其他USB设备。
10. CAN:CAN总线接口,用于连接CAN总线设备。
11. ETH:以太网接口,用于连接以太网设备。
12. SDIO:SD卡接口,用于连接SD卡。
13. FSMC:外部存储器接口,用于连接外部存储器。
14. ADC:模拟数字转换器,用于将模拟信号转换为数字信号。
15. DAC:数字模拟转换器,用于将数字信号转换为模拟信号。
16. CRC:循环冗余校验模块,用于数据校验。
以上是STM32F103C8T6微控制器的主要内部资源,每个资源都有一个或多个寄存器,用于控制和配置相关功能。
相关问题
STM32F103C8T6内部资源
STM32F103C8T6是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器,具有以下内部资源:
1. CPU:ARM Cortex-M3内核,最高主频为72MHz;
2. 存储器:
- 64KB闪存,用于存储程序代码;
- 20KB SRAM,用于存储运行时数据;
- 2KB EEPROM,用于存储非易失性数据;
3. 外设接口:
- 37个GPIO(通用输入输出口);
- 3个定时器(TIM1、TIM2、TIM3);
- 2个I2C接口;
- 3个USART串口;
- 2个SPI接口;
- 1个CAN接口;
- 1个USB接口;
- 1个ADC模数转换器,可实现12位精度;
- 1个DAC数字模拟转换器,可实现12位精度;
- 1个复位和时钟控制模块(RCC)。
以上是STM32F103C8T6的主要内部资源,可以满足大部分应用需求。
stm32f103c8t6内部flash读写
### 回答1:
STM32F103C8T6是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器,具有内置的Flash存储器。这款芯片内置了64KB的Flash存储器,可以用于存储程序代码和数据。
在STM32F103C8T6上进行内部Flash读写操作,首先需要初始化Flash模块。通过设置Flash时钟源、解锁Flash接口和使能Flash预取功能等步骤,可以确保正确读写Flash。
读取Flash存储器的数据,可以通过编程方式访问存储器地址并将数据读取到合适的数据类型中。读取过程需要注意数据的字节对齐、类型转换和读取大小等问题,以确保数据读取的正确性和准确性。
写入Flash存储器的数据,需要使用特定的Flash写函数。在编写数据之前,需要确保Flash存储器的页已经被擦除。然后,使用写入函数将数据写入指定地址的Flash存储器中。写操作完成后,需要进行数据校验或读取校验,以确保数据的正确写入。
注意,对于STM32F103C8T6的Flash存储器,写入操作只能在已经擦除的页中进行。单次写入操作的字节长度应小于等于Flash存储器的页大小。如果需要写入超过一页的数据,需要以页为单位进行分页写入,同时注意页边界对齐和数据的正确传输。
总的来说,STM32F103C8T6的内部Flash读写操作需要正确的初始化和合适的编程方法。合理管理内部Flash存储器的读写,可以实现数据存储和程序更新等功能。
### 回答2:
STM32F103C8T6是一款32位ARM Cortex-M3内核的微控制器,内置了64KB的Flash存储器。下面将通过以下几个方面来回答stm32f103c8t6内部Flash的读写。
首先,内部Flash的读取。在STM32的开发环境中,我们可以使用标准库函数或者相关的驱动程序来读取内部Flash。我们可以使用函数如`HAL_FLASH_Read()`来读取指定地址的数据。我们需要提供要读取的地址和要读取的变量的指针。函数将会将指定地址的数据复制到指定的变量中。
其次,内部Flash的写入。为了写入内部Flash,我们需要解锁Flash并擦除要写入的扇区。可以使用函数如`HAL_FLASH_Unlock()`解锁Flash。然后,使用函数如`FLASH_Erase_Sector()`来擦除指定的Flash扇区。接下来,我们可以使用函数如`HAL_FLASH_Program()`来对Flash进行编程。将要写入的数据和要写入的地址传递给该函数,函数将会将数据编程到指定的地址。
需要注意的是,内部Flash的写入和擦除操作会消耗一定的时间。为了确保Flash操作的完整性和正确性,需要在进行写入和擦除操作时禁用全局中断。另外,需要注意在编程Flash之前将Flash与其他外设(如闪存存储器或外部RAM)断开连接,以防止写入数据和相关的操作引起问题。
最后,我们需要注意到内部Flash的寿命。每个Flash单元具备一定的擦除次数和编程次数。因此,在设计中需要谨慎使用Flash的擦除和写入操作。我们可以通过参考产品手册和数据手册了解具体Flash的寿命,并根据实际需求来合理安排Flash的使用。
总结起来,STM32F103C8T6内部Flash的读写操作可以使用相关的驱动程序或标准库函数来完成。读取操作可以通过提供要读取的地址和变量的指针来完成,而写入操作需要先解锁Flash、擦除指定的扇区,然后再编程指定的地址。在进行Flash操作时需要注意Flash的寿命和正确的编程步骤。
### 回答3:
STM32F103C8T6是一款基于ARM Cortex-M3内核的高性能微控制器。它内部集成了64KB的闪存(flash),可以用于存储程序代码和数据。
在STM32F103C8T6上进行内部flash的读写操作,需要遵循以下步骤:
1. 配置内部flash:在进行读写操作之前,需要将flash解锁并配置为编程状态。通过对FLASH_CR寄存器写入相应的位值,可以进行解锁和配置操作。
2. 擦除flash扇区:在进行写操作之前,需要先擦除相应的flash扇区。每个flash扇区的大小一般为1KB或2KB,在擦除操作中,需要注意只能擦除整个扇区,不能对单个字节进行操作。
3. 写入数据:擦除flash扇区后,可以将数据写入flash。通过对FLASH_AR寄存器写入要写入的数据值,可以实现将数据写入flash。
4. 数据验证:在完成写入操作后,可以进行数据验证。通过将写入的数据与flash中对应位置的数据进行比较,可以确保写入操作的准确性。
需要注意的是,内部flash有一定的寿命,仅能进行有限次数的擦除和写入操作。因此,在进行内部flash读写操作时,需要合理规划擦除和写入的次数,以提高flash的使用寿命。
总结起来,STM32F103C8T6的内部flash读写操作需要先配置flash,然后擦除相应扇区,然后写入数据,最后进行数据验证。需要注意合理规划擦除和写入的次数,以延长flash的使用寿命。
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