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silvaco tcad仿真刻蚀方法

时间: 2023-09-22 11:11:20 浏览: 564

简单的几何刻蚀-electrical machienery

2.3 单项工艺 68 赖，那么语法的学习就会觉得吃力。例 2-39 简单的几何刻蚀，将 x=0.5 左边的二氧化硅全部刻蚀掉，如图 2.24 为仿真结果。 etch silicon left p1.x=0.5 图 2.24 简单的几何刻蚀例 2-40 任意几何形状刻蚀，刻蚀的范围是由用 x 和 y 坐标表示的点所围城的区域，虽然实际的二氧化硅的厚度为 0.3µm，但刻蚀语句中将 y=0 到 y=-0.6 范围的二氧化硅全刻掉。效果如图 2.25(a)。 etch oxide start x=1 y=0.0 etch continue x=1 y= - 0.6 etch continue x=2 y= - 0.6 etch done x=2 y=0.0 这通常用于形成掩膜图形，图 2.25 和图 2.26 中刻蚀硅所采用的掩膜图形都是图 2.25(a)。例 2-41 各项异性刻蚀语句，将裸露在表面的所有材料都刻蚀一定厚度。 etch dry thick=1 例 2-42 对材料刻蚀一定的厚度，效果如图 2.25(b)。 etch silicon thick=1 例 2-43 刻蚀侧墙的角度，效果如图 2.25(c)。 etch silicon thick=1 angle=80 例 2-44 刻蚀的底切，效果如图 2.25(d)。 etch silicon thick=1 undercut=0.2

Silvaco TCAD是一种半导体器件仿真工具，可以用于模拟和分析半导体器件的行为。在半导体器件的制造过程中，刻蚀技术是非常关键的一步。Silvaco TCAD提供了多种刻蚀模拟方法，其中比较常用的是物理刻蚀模拟和化学机械抛光（CMP）模拟。在物理刻蚀模拟中，Silvaco TCAD使用Monte Carlo方法模拟离子轰击表面的过程，以确定表面的形态和材料的削减量。此外，Silvaco TCAD还可以模拟干法刻蚀和湿法刻蚀两种不同的刻蚀方法。在CMP模拟中，Silvaco TCAD模拟了化学反应和机械磨擦过程，以确定表面的形态和材料的削减量。此外，Silvaco TCAD还可以模拟不同的CMP条件，如pH值、摩擦力等。总之，Silvaco TCAD提供了多种刻蚀模拟方法，可以帮助半导体制造企业优化制造流程，提高生产效率。

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