SiO2的SRH复合电子少子寿命

SiO2的SRH（Shockley-Read-Hall）复合电子少子寿命是指在缺陷介质中，电子和空穴因为缺陷而发生复合的平均寿命。这种复合过程包括电子和空穴被捕获，并在缺陷中发生复合的过程。

SiO2的SRH复合电子少子寿命可以受到多种因素的影响，例如局部缺陷密度、载流子注入浓度、温度等。根据文献报道，SiO2中的SRH复合电子少子寿命通常在微秒到毫秒的范围内，但具体数值取决于具体的实验条件和测量方法。

需要注意的是，SRH复合电子少子寿命是一个与材料相关的参数，而非固有的物理常数。因此，它的值可以根据具体材料和实验条件进行调整。