800 nm的激光打到GaAs晶体上,能产生有效激发吗?为什么
时间: 2024-04-23 22:22:14 浏览: 311
高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
800 nm的激光可以被GaAs吸收,因为GaAs的能隙(bandgap)是1.42 eV,对应波长为870 nm。因此,800 nm的激光的光子能量(1.55 eV)大于GaAs的能隙,可以被GaAs吸收并激发电子。这种激发被称为“非共振激发”,因为它不是在能隙处发生的。但是需要注意的是,800 nm的激光的吸收系数比波长为870 nm的激光要小,因此需要更高的功率才能产生有效激发。
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