800 nm的激光打到GaAs晶体上,能产生有效激发吗?为什么
时间: 2024-04-23 13:22:14 浏览: 9
800 nm的激光可以被GaAs吸收,因为GaAs的能隙(bandgap)是1.42 eV,对应波长为870 nm。因此,800 nm的激光的光子能量(1.55 eV)大于GaAs的能隙,可以被GaAs吸收并激发电子。这种激发被称为“非共振激发”,因为它不是在能隙处发生的。但是需要注意的是,800 nm的激光的吸收系数比波长为870 nm的激光要小,因此需要更高的功率才能产生有效激发。
相关问题
与Si比较,GaAs的优势有哪些?
相较于硅(Si),砷化镓(GaAs)在某些方面具有以下优势:
1. 更高的电子迁移率:砷化镓的电子迁移率比硅高得多,这意味着在高频应用中,砷化镓的器件可以提供更高的性能。
2. 更高的饱和漂移速度:砷化镓的饱和漂移速度比硅高,这使得它在高速电路应用中具有优势。
3. 更高的饱和电子流密度:砷化镓的饱和电子流密度比硅高,这使得它在高功率应用中具有优势。
4. 更宽的能隙:砷化镓的能隙比硅大得多,这意味着它可以在更高的温度下工作。
5. 更好的光电性能:砷化镓的光电性能比硅好,这使得它在光电器件方面具有广泛的应用。
需要注意的是,砷化镓也有一些劣势,比如成本更高、制造工艺更难控制等。因此,在具体应用中需要综合考虑各种因素来选择合适的材料。
6.为什么发光器件多采用III-V族或II-VI族的化合物半导体?
发光器件是依靠半导体的特性来实现电能向光能的转换,因此材料的光电性能是制约发光器件性能的重要因素。 III-V族和II-VI族化合物半导体具有优异的光电性能,是制作发光器件的理想材料。
具体来说, III-V族化合物半导体(如GaAs、InP等)和II-VI族化合物半导体(如ZnS、CdSe等)具有以下优点:
1. 具有较大的能隙,可以发出可见光和紫外光等高能量的光。
2. 具有较高的光电转换效率和较长的寿命,能够产生高亮度、长寿命的光。
3. 具有较高的载流子迁移率和较小的缺陷密度,有利于提高器件的性能和稳定性。
4. 可以通过掺杂来调节半导体的导电性质和光电性质,使其适应不同的应用需求。
综上所述,III-V族和II-VI族化合物半导体具有优异的光电性能,因此被广泛应用于发光器件制造中。