800 nm的激光打到GaAs晶体上，能产生有效激发吗？为什么

800 nm的激光可以被GaAs吸收，因为GaAs的能隙（bandgap）是1.42 eV，对应波长为870 nm。因此，800 nm的激光的光子能量（1.55 eV）大于GaAs的能隙，可以被GaAs吸收并激发电子。这种激发被称为“非共振激发”，因为它不是在能隙处发生的。但是需要注意的是，800 nm的激光的吸收系数比波长为870 nm的激光要小，因此需要更高的功率才能产生有效激发。

相关问题

与Si比较，GaAs的优势有哪些？

相较于硅（Si），砷化镓（GaAs）在某些方面具有以下优势：

1. 更高的电子迁移率：砷化镓的电子迁移率比硅高得多，这意味着在高频应用中，砷化镓的器件可以提供更高的性能。

2. 更高的饱和漂移速度：砷化镓的饱和漂移速度比硅高，这使得它在高速电路应用中具有优势。

3. 更高的饱和电子流密度：砷化镓的饱和电子流密度比硅高，这使得它在高功率应用中具有优势。

4. 更宽的能隙：砷化镓的能隙比硅大得多，这意味着它可以在更高的温度下工作。

5. 更好的光电性能：砷化镓的光电性能比硅好，这使得它在光电器件方面具有广泛的应用。

需要注意的是，砷化镓也有一些劣势，比如成本更高、制造工艺更难控制等。因此，在具体应用中需要综合考虑各种因素来选择合适的材料。

6.为什么发光器件多采用III-V族或II-VI族的化合物半导体？

发光器件是依靠半导体的特性来实现电能向光能的转换，因此材料的光电性能是制约发光器件性能的重要因素。 III-V族和II-VI族化合物半导体具有优异的光电性能，是制作发光器件的理想材料。

具体来说， III-V族化合物半导体（如GaAs、InP等）和II-VI族化合物半导体（如ZnS、CdSe等）具有以下优点：

1. 具有较大的能隙，可以发出可见光和紫外光等高能量的光。

2. 具有较高的光电转换效率和较长的寿命，能够产生高亮度、长寿命的光。

3. 具有较高的载流子迁移率和较小的缺陷密度，有利于提高器件的性能和稳定性。

4. 可以通过掺杂来调节半导体的导电性质和光电性质，使其适应不同的应用需求。

综上所述，III-V族和II-VI族化合物半导体具有优异的光电性能，因此被广泛应用于发光器件制造中。