测得工作在放大区的某晶体管三个极1、2、3的电位分别为:V1=−5V、V2=−1.2V、V3=−1V。则该晶体管的发射极、基极、集电极分别为

晶体管的三个极分别为发射极、基极、集电极，我们需要通过电位值来判断它们的位置。

一般来说，发射极的电位最低，集电极的电位最高，而基极的电位位于发射极和集电极之间。因此，我们可以通过电位值来判断它们的位置关系。

在这道题中，V1=−5V 是最低的电位，因此它对应的是发射极；V2=−1.2V 是中间的电位，因此它对应的是基极；V3=−1V 是最高的电位，因此它对应的是集电极。

因此，该晶体管的发射极、基极、集电极分别为V1、V2、V3。

相关问题

某晶体管在f=15MHZ时，测得β=10，则fT为多少

晶体管的截止频率fT是指其高频放大能力的上限，即当频率大于fT时，晶体管的放大能力急剧下降。一般来说，晶体管的截止频率与其放大系数β有关，可以使用以下公式来计算：

fT = β × ft

其中，ft是晶体管的最高频率系数，通常在数据手册中给出。根据题目中给出的数据，β为10，因此我们只需要知道ft的值就可以计算出fT。

另外需要注意的是，晶体管的最高频率系数ft通常是以GHz为单位给出的，因此在计算时需要将其转换为MHz。

假设ft=30GHz，则有：

fT = β × ft = 10 × 30GHz = 300GHz

因此，当β为10且ft为30GHz时，该晶体管的截止频率fT为300GHz。

已知两个晶体管的β=50Ubeq🟰0.7V,Ic Ib求放大电路的静态工作点

首先，我们需要确定放大电路的拓扑结构（比如共射、共基或者共集），然后才能计算静态工作点。这里我以共射放大电路为例。

共射放大电路的静态工作点由输入电压（Vin）、输出电压（Vout）和直流电源电压（Vcc）决定。我们需要根据这些参数计算出电路中晶体管的IB和IC，从而确定静态工作点。

假设Vin=0V，Vcc=10V，Vout=5V，根据基本的二极管公式，我们可以计算出晶体管的IB：

IB = (Vcc - Vbe) / [(β + 1) * Rb]

其中，Vbe是基极发射极间的电压，一般取0.7V；β是晶体管的放大倍数；Rb是基极电阻。

假设Rb=1kΩ，则IB=4.3μA。

根据晶体管的放大倍数β=50，我们可以计算出晶体管的IC：

IC = β * IB = 215μA

接下来，我们需要确定静态工作点的电压。根据基本的放大电路公式，我们可以计算出静态工作点的集电极电压（VCE）和基极电压（VBE）：

VCE = Vcc - IC * RC

VBE = Vcc - Vin * R1 - IB * Rb

其中，RC是集电极电阻；R1是输入电阻。

假设RC=2.2kΩ，R1=10kΩ，则VCE=6.68V，VBE=0.03V。

因此，这个共射放大电路的静态工作点为：IC=215μA，VCE=6.68V，VBE=0.03V。