测得工作在放大区的某晶体管三个极1、2、3的电位分别为:V1=−5V、V2=−1.2V、V3=−1V。则该晶体管的发射极、基极、集电极分别为

晶体管的三个极分别为发射极、基极、集电极，我们需要通过电位值来判断它们的位置。

一般来说，发射极的电位最低，集电极的电位最高，而基极的电位位于发射极和集电极之间。因此，我们可以通过电位值来判断它们的位置关系。

在这道题中，V1=−5V 是最低的电位，因此它对应的是发射极；V2=−1.2V 是中间的电位，因此它对应的是基极；V3=−1V 是最高的电位，因此它对应的是集电极。

因此，该晶体管的发射极、基极、集电极分别为V1、V2、V3。

相关问题

用hspice写一个三级cmos运算放大器的仿真代码

### 回答1：
三级 CMOS 运算放大器的 HSPICE 仿真代码如下：

* CMOS Operational Amplifier
.include '45nm_HP.pm'

M1 outA VDD VDD PMOS l=0.18u w=3.3u
M2 outA VDD mid PMOS l=0.18u w=1.65u
M3 mid VDD VSS PMOS l=0.18u w=0.825u
M4 inA mid VSS NMOS l=0.18u w=0.825u
M5 mid inB VSS NMOS l=0.18u w=1.65u
M6 outA VSS VSS NMOS l=0.18u w=3.3u

R1 inA 0 1k
R2 inB 0 1k

V1 inA 0 DC 0
V2 inB 0 DC 0
V3 VDD VSS DC 3.3

.tran 10p 200n
.plot tran v(outA)
.end

注意：这仅是一个示例代码，可能需要根据您的具体需求进行调整。

### 回答2：
下面是一个用HSPICE编写的三级CMOS运算放大器的仿真代码：

.include cmos_models.txt

.param VDD = 5V

M1 n1 n2 n3 VDD nmos W=2u L=0.5u
M2 n2 n4 n5 VDD nmos W=2u L=0.5u
M3 n3 n6 n7 VDD nmos W=2u L=0.5u

MP1 n4 n1 N1 VDD pmos W=4u L=0.5u
MP2 n1 n7 N1 VDD pmos W=4u L=0.5u
MP3 n4 N1 n8 VDD pmos W=2u L=0.5u

Vin n6 0 DC 0 AC 1m
Cc n6 0 1p

Cc=1e-12

.tran 0.1ns 10us

.control
run
plot V(n7)
.endc

.end

### 回答3：
要用HSPICE编写一个三级CMOS运放的仿真代码，首先需要创建仿真环境，包括各个电路元件的参数设置和连接关系。

首先，我们需要定义每个CMOS晶体管的元件参数。每个晶体管由一个PMOS和一个NMOS组成，它们被连接成三级级联的形式。我们需要定义晶体管的长度和宽度、模型名称和其他必要的参数。接下来，我们需要定义源极、漏极和栅极的连接关系，以正确描述晶体管之间的电流流动。

然后，我们需要定义电源和地连接来提供电源和参考电平。电源应设置为所需的供电电压。在这个过程中，可以选择使用恒流源或电流镜源来提供恒定的电流，以供电路运行。参考电平通常设置为地的电位。

接下来，我们需要定义输入和输出的连接。输入信号可以是电压源或电流源，而输出信号则通过测量电流或电压来得到。在设置输入和输出之后，我们需要定义信号源的参数，如电压的幅值和频率。

最后，我们需要定义仿真的参数和运行时间。仿真参数包括仿真步长、仿真起始时间和仿真结束时间。运行时间是指仿真所需的总时间。

在所有这些设置完成之后，我们可以运行HSPICE仿真代码，得到三级CMOS运放的性能指标，如增益、带宽等。通过调整每个晶体管的尺寸和电源电压等参数，可以优化电路的性能。

综上所述，编写三级CMOS运放的HSPICE仿真代码需要设置晶体管的参数、连接关系、电源和地的连接、输入输出连接、信号源的参数、仿真参数和运行时间。通过运行仿真代码，可以得到电路的性能指标，并通过调整参数进行优化。