flash 坏快处理的逻辑代码

下面是一个简单的 Flash 坏块处理的逻辑代码示例：

// 定义坏块映射表
int bad_block_map[FLASH_BLOCK_NUM];

// 定义闪存块
struct flash_block {
    char data[FLASH_BLOCK_SIZE];  // 数据区域
    int is_bad_block;             // 是否为坏块
};

// 写入数据到闪存中
void write_flash(int block_num, char* data) {
    if (bad_block_map[block_num] == 1) {
        // 如果该块已经是坏块，则使用备用块
        int backup_num = find_backup_block();
        write_flash(backup_num, data);
        // 更新坏块映射表
        bad_block_map[block_num] = backup_num;
    } else {
        // 如果该块不是坏块，则直接写入数据
        struct flash_block* block = &flash[block_num];
        memcpy(block->data, data, FLASH_BLOCK_SIZE);
    }
}

// 查找备用块
int find_backup_block() {
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_NUM; i++) {
        if (bad_block_map[i] == 0) {
            return i;
        }
    }
    // 如果没有可用块，则进行坏块回收
    garbage_collect();
    // 回收后再次查找备用块
    return find_backup_block();
}

// 坏块回收
void garbage_collect() {
    // 备份所有数据
    char* backup_data[FLASH_BLOCK_NUM][FLASH_BLOCK_SIZE];
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_NUM; i++) {
        memcpy(backup_data[i], flash[i].data, FLASH_BLOCK_SIZE);
    }
    // 标记所有坏块
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_NUM; i++) {
        if (flash[i].is_bad_block == 1) {
            bad_block_map[i] = 1;
        }
    }
    // 复制数据到新块
    int new_block_num = 0;
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_NUM; i++) {
        if (bad_block_map[i] == 0) {
            memcpy(flash[new_block_num].data, backup_data[i], FLASH_BLOCK_SIZE);
            new_block_num++;
        }
    }
    // 标记所有坏块为可用块
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_NUM; i++) {
        if (bad_block_map[i] == 1) {
            bad_block_map[i] = 0;
        }
    }
}

注意，这里只是一个简单的示例代码，实际的 Flash 坏块处理算法可能需要更加复杂和高效。