搜索沉积SiO2薄膜的表面反应具体种类以及反应发生概率

沉积SiO2薄膜的表面反应主要包括以下几种：

1. SiH4 + 2O2 → SiO2 + 2H2O
2. SiCl4 + 2H2O → SiO2 + 4HCl
3. Tetraethyl orthosilicate (TEOS) + O2 → SiO2 + 2CO2 + 2H2O
4. SiH2Cl2 + O2 → SiO2 + 2HCl
5. SiH2Cl2 + 2H2O → SiO2 + 4HCl

其中，第一种反应是最常见的沉积SiO2薄膜的反应，它可以通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法实现。第二种反应是湿法化学气相沉积（WF-CVD）中常用的反应，通过在高温下将SiCl4和湿气反应得到SiO2。第三种反应是一种常用的溶胶-凝胶法（sol-gel）反应，可以在较低的温度下制备SiO2薄膜。第四种反应是一种化学气相淀积（CVD）反应，通常在高温下使用。第五种反应是一种湿法化学气相沉积（WF-CVD）反应，通过在高温下将SiH2Cl2和湿气反应得到SiO2。

不同反应的发生概率取决于反应条件、反应物浓度和反应机理等因素。在制备SiO2薄膜时，通常会选择最适合特定应用需求的反应条件和反应机理，以获得最佳的沉积效果。