module CNTADD12(CS,NS); input [3:0] CS; output [3:0] NS; reg[3:0]NS; always@(CS,NS) case(CS) 4'b0000:NS<=4'B0001; 4'b0001:NS<=4'B0010; 4'b0010:NS<=4'B0011; 4'b0011:NS<=4'B0100; 4'b0100:NS<=4'B0101; 4'b0101:NS<=4'B0110; 4'b0110:NS<=4'B0111; 4'b0111:NS<=4'B1000; 4'b1000:NS<=4'B1001; 4'b1001:NS<=4'B1010; 4'b1010:NS<=4'B1011; 4'b1011:NS<=4'B0000; default:NS<=4'b0000; endcase endmodule如何设置cs的初始值
时间: 2024-03-16 08:42:39 浏览: 18
要设置输入信号 CS 的初始值,可以在模块实例化时将其赋予一个初始值。例如,如果需要将 CS 的初始值设为 4'b0000,可以这样实例化该模块:
```verilog
module top;
reg [3:0] cs = 4'b0000;
wire [3:0] ns;
CNTADD12 inst(.CS(cs), .NS(ns));
// ...
endmodule
```
这里使用了 `reg` 类型的变量 `cs` 来存储 CS 的值,并将其赋值为 4'b0000。然后通过 `CNTADD12` 模块实例化,将其连接到 `ns` 输出端口。在实例化时,使用 `.CS(cs)` 的方式将 `cs` 变量与模块的 `CS` 输入端口连接起来,这样在模拟时 `cs` 的初始值即为 4'b0000。
相关问题
module BCDEncoder( input [7:0] BinaryIn, output reg [11:0] BCDOut );
这是一个BCD编码器的Verilog代码,将8位二进制数转换为12位BCD码。其中,输入为8位二进制数BinaryIn,输出为12位BCD码BCDOut。在Verilog中,reg关键字用于声明寄存器类型的变量,[7:0]表示一个8位向量。在输出端口中,[11:0]表示一个12位向量。代码中使用了赋值语句,即“=”号,不同于C语言中的“==”比较运算符。
reg [7:0] mem [15:0
这一个 16 行 8 列的双端口 RAM,每个 RAM 单元的数据位宽为 8 位。其中 `reg` 表示这是一个寄存器变量,`[7:0]` 表示数据位宽为 8 位,`mem` 是变量名,`[15:0]` 表示有 16 行,每行对应一个 8 位寄存器。这个 RAM 有两个端口,可以同时实现读和写。读操作通过 `mem` 数组的索引和读写端口控制信号实现,写操作通过写入数据、地址和写使能信号实现。以下是一个简单的 Verilog 代码实现:
```
module dual_port_ram(
input clk, // 时钟信号
input [3:0] r_addr1, // 1 号读地址
input [3:0] r_addr2, // 2 号读地址
input [3:0] w_addr, // 写地址
input [7:0] w_data, // 写数据
input w_en, // 写使能信号
input [1:0] r_en, // 读使能信号
output reg [7:0] r_data1, // 1 号读数据
output reg [7:0] r_data2 // 2 号读数据
);
reg [7:0] mem [15:0]; // 双端口 RAM
always @(posedge clk) begin
if (w_en) begin // 写使能信号为高电平时,将写入数据存入指定地址的 RAM 单元中
mem[w_addr] <= w_data;
end
if (r_en[0]) begin // 1 号读使能信号为高电平时,将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 1 号输出端口
r_data1 <= mem[r_addr1];
end
if (r_en[1]) begin // 2 号读使能信号为高电平时,将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 2 号输出端口
r_data2 <= mem[r_addr2];
end
end
endmodule
```
这个 RAM 模块有一个时钟输入,三个地址输入,一个写数据输入,一个写使能信号输入,两个读使能信号输入,两个输出端口,并声明了一个 16 行 8 列的内部寄存器数组 `mem`。在时钟上升沿时,如果写使能信号为高电平,则将写数据存储到指定地址的 RAM 单元中;如果 1 号读使能信号为高电平,则将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 1 号输出端口;如果 2 号读使能信号为高电平,则将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 2 号输出端口。